一款发射波长为 282纳米 的半导体深紫外激光二极管。它代表了紫外光源技术的重大突破，将高效、紧凑、低功耗的半导体激光技术扩展到了传统上由气体激光器（如氦镉激光器）或固态倍频激光系统主导的深紫外波段。282nm波长位于UVC光谱范围内，具备独特的物理和化学效应，是生物医学、高精度分析及先进制造的理想光源。
产品特点封装形式：5.6 mm浮空安装；横向多模输出；光输出功率：10 mW
型号MP-UV-282-10-TO56
应用领域生物医学与生命科学 | 分析化学与传感 | 工业与材料加工
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Daisy
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峰值波长
282nm
参数
项目 | 条件 | 符号 | 最小值* | 典型值 | 最大值* | 单位 | |
峰值波长 | Po=10mW | λp | 282 | nm | |||
阈值电流 | Pulse[1] | Ith | 55 | mA | |||
工作电流 | Po=10mW | Iop | 70 | mA | |||
斜率 | Pulse[1] | η | 1 | W/A | |||
工作电压 | Po=10mW | Vop | 9 | V | |||
光束发散角[2] | 平行 | Po=10mW | θ// | 15 | ° | ||
垂直 | Po=10mW | θ⊥ | 55 | ° | |||
*尚未最终确定（开发中）
[1] 推荐脉冲驱动条件：脉宽 50 µs，占空比 1%（200 Hz）
[2] 峰值强度1/e2处的全角
绝对最大额定值：
项目 | 符号 | 绝对最大额定值 | 单位 |
光输出功率 | PO | 15 | mW |
允许正向电流 | IF | 120 | mA |
存储温度 | TST | 20-40 | ℃ |
工作管壳温度 | TC | 20-30 | ℃ |
驱动电路
图形数据
驱动条件：脉宽 50 µs，占空比 1%（200 Hz）
附录数据
图片展示了在脉冲驱动条件（50 µs 脉宽，1% 占空比）下，自动功率控制设定为Po = 10mW时Iop的变化情况。在初始的 2-3 小时内，可能会观察Iop出现更明显的漂移。
无
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