400-828-1550
首页 半导体二极管 VCSEL二极管 750-830nmVCSEL二极管 760-794.7nm SM VCSEL激光器 带TEC TO封装 794.7nm单模VCSEL发射激光器

    • 794.7nm单模VCSEL发射激光器

    PL-VCSEL-0795-1-A81-TO46 型 794.7 纳米垂直腔面发射激光器是一款垂直出光的、通过金属有机气相外延（MOVPE）方法生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。其芯片采用 TO5 封装。可通过调节激光电流和温度来实现波长调谐。该激光器内置半导体制冷器（TEC）和光电探测器（PD），是专为可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）应用而特别设计的。凭借窄线宽特性以及搭配半导体制冷器所实现的宽调谐范围，它成为铷原子光谱 D1 跃迁研究中一款性价比颇高的选择。

    产品特点垂直腔面发射激光器；内置半导体制冷器（TEC）和热敏电阻，具备静电保护功能；线宽窄；搭配半导体制冷器可实现 2 纳米调谐范围；适用于铷原子 D1 跃迁研究场景

    产品型号PL -VCSEL-0795-0-A81-TO46

    应用领域可调谐二极管激光吸收光谱法铷原子光谱学光学钟（铷原子钟)

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    主要参数
  • 核心参数

  • 中心波长

    794.7nm

  • 尺寸图
    • 详细参数

     激光器规格

    条件：除非另有说明，否则芯片背面温度（TO P）为 20℃，工作电流（IO P）为 2.0mA

    （TO P = 芯片背面温度，由半导体制冷器（TEC）控制）


    参数

    符号

    最小值

    典型值

    最大值

    单位

    备注

    发射波长

    λR

    794.7

    阈值电流

    ITH


    0.5


    mA


    输出功率

    Popt

    0.25



    mW


    阈值电压

    UTH


    1.8


    V


    驱动电流

    IOP



    2

    mA

    Popt = 0.3 mW

    激光电压

    UOP


    2


    V

    Popt = 0.3 mW

    电光转换效率

    ηWP


    12


    %

    Popt = 0.3 mW

    斜率效率

    ηS


    0.3


    W/A


    差分串联电阻

    RS


    250


    Ω

    Popt = 0.3 mW

    3dB 带宽

    V3dB

    0.10



    GHz

    Popt = 0.3 mW Due to ESD protection diode

    相对强度噪声

    RIN


    -130

    -120

    dB/Hz

    Popt = 0.3 mW @ 1 GHz

    电流调谐波长范围



    0.6


    nm/mA


    温度调谐波长范围



    0.06


    nm/K


    热阻（VCSEL 芯片）

    Rthermal

    3


    5

    K/mW


    边模抑制比


    25



    dB

    I = 2 mA

    光束发散角

    θ

    10


    25

    °

    Popt = 0.3 mW, full width 1/e2

    光谱线宽



    100


    MHz

    Popt = 0.3 mW



    热电制冷器（TEC）特性

    单位

    最小值

    典型值

    最大值

    备注

    热电制冷器电流

    mA

    -150(Heating)


    +300 (Cooling)

    Proper Heart Sink Required

    NTC 热敏电阻阻值

    KΩ

    9.5

    10.0

    10.5

    T=25°C @10 KΩ

    NTC 热敏电阻阻值（公式）

    KΩ

    10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}


     

    光谱

    5b3382803bf82.png

     

    光功率 - 电流曲线（温度为 25°C 时）

    5d5558739e577.png

     

    温度 / 波长随半导体制冷器（TEC）电流的调谐特性

    5b3383065de1e.png

     

    法布里 - 珀罗光谱

    3.png

     

    引脚定义

    6.png

     

     

    绝对最大额定值

    项

    单位

    最小值

    典型值

    最大值

    存储温度

    ℃

    -40

    25

    125

    芯片温度

    ℃

    +10

    25

    40

    工作电流

    mA

    0

    2

    2.5

    正向电压

    V

    0.8

    1.2

    1.8

    半导体制冷器（TEC）电流

    mA

    -150

    -

    +300

    焊接温度 *

    ℃

    100

    130

    270

    功耗

    mW

    -

    -

    5

    （* 半导体制冷器（TEC）的温度必须低于 150℃）


    订购信息

    PL -VCSEL-□□□□-☆-A8▽-XX

    □□□□： Wavelength

    0760:760nm

    0795:794.7nm

    ***

    1653.7：1653.7nm

    ☆ ：TEC

    0：Without TEC 1：With TEC

    ▽：Wavelength Tolerance 1：±0.5nm

    2：±1.5nm

    XX: Package TO46


    安全与操作注意事项

    本器件在反向偏置电压下工作，极性不得反接。若光电二极管的工作状态超出其最大额定值，可能导致器件损坏或产生安全隐患。用于该组件的电源不得超过最大峰值光功率。

    静电防护—— 静电放电（ESD）是激光二极管意外失效的主要原因。操作光电二极管时，必须采取严格的防静电措施：使用防静电腕带、接地工作台面，并严格遵循防静电操作规范

    可选配置表
    产品资料
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