PL-VCSEL-0763-0-A82 型 763nm 垂直腔面发射激光器（VCSEL）是一款垂直出光的激光器，基于金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光芯片制成。芯片采用 TO46 封装壳进行封装，可通过调节激光电流和温度实现波长调谐，封装内部集成了热电制冷器（TEC）和光电探测器（PD）。 该激光器专为可调谐半导体激光吸收光谱（TDLAS）应用设计，其窄线宽特性使其成为无需热电制冷器（TEC）的氧气分析仪器的理想选择，兼具良好性能与低成本优势，适用于氧气检测相关的分析仪器制造领域。
产品特点100 MHz 光谱带宽；波长可调谐性；带增透膜的 TO-46 窗口；专为氧气传感优化
产品型号PL-VCSEL-0763-0-A82-TO46
应用领域TDLAS氧气传感傅里叶变换红外光谱（FTIR）
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Daisy
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中心波长
763nm
激光器规格
条件：除非另有说明，否则芯片背面温度（TOₚ）为 20°C，工作电流（Iₒₚ）为2.0mA（TOₚ为芯片背面温度，由热电制冷器（TEC）控制）
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
发射波长 | λR | 具体精确波长从下方吸收线中选择 | ||||
阈值电流 | ITH | 0.5 | mA | |||
输出功率 | Popt | 0.25 | 0.5 | 0.75 | mW | |
阈值电压 | UTH | 1.8 | V | |||
驱动电流 | IOP | 2 | mA | Popt = 0.3 mW | ||
激光电压 | UOP | 2 | V | Popt = 0.3 mW | ||
电光转换效率 | ηWP | 12 | % | Popt = 0.3 mW | ||
斜率效率 | ηS | 0.3 | W/A | |||
差分串联电阻 | RS | 250 | Ω | Popt = 0.3 mW | ||
3dB 带宽 | v3dB | 0.10 | GHz | Popt = 0.3 mW, Due to ESD protection diode | ||
相对强度噪声 | RIN | -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz | |
电流调谐波长范围 | 0.6 | nm/mA | ||||
热阻（VCSEL 芯片） | Rthermal | 3 | 5 | K/mW | ||
边模抑制比 | 25 | dB | I = 2 mA | |||
光束发散角 | θ | 10 | 25 | ° | Popt = 0.3 mW, full width 1/e2 | |
光谱线宽 | 100 | MHz | Popt = 0.3 mW | |||
光谱
光功率 - 电流曲线（温度 25°C 时）
为确保这款垂直腔面发射激光器（VCSEL）的性能，我们强烈建议其最大工作电流不超2mA
氧气吸收线
尺寸与引脚定义
针脚序号 | 描述 |
1 | 激光器负极 |
2 | 激光器正极 |
绝对最大额定值
项目 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
存储温度 | °C | -40 | 25 | 125 |
芯片温度 | °C | +10 | 25 | 40 |
工作电流 | mA | 0 | 2 | 2.5 |
正向电压 | V | 0.8 | 1.2 | 1.8 |
焊接温度* | °C | 100 | 130 | 270 |
耗散功率 | mw | - | - | 5 |
订购信息
PL-VCSEL-□□□□-☆-A8▽-TO39-XX
□□□□: Wavelength
0760: 760nm
*****
1653.7: 1653.7nm
☆: TEC
0: Without TEC
1: With TEC
▽: Wavelength Tolerance
1: ±0.5nm
2: ±1.5nm
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