• InGaAs Tap-PD Chip For EDFA φ80um

    用于EDFA的InGaAs Tap-PD芯片

    产品特点高线性度;φ80um有效面积;高响应度;顶照式平面结构

    型号

    应用领域EDFA 用 Tap-PD | 移动通信系统

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    Sherry

    电话:16628709332

    邮箱:moli@microphotons.com

    主要参数
  • 核心参数
  • 尺寸图
  • 详细参数

    image.png


    规格(Tc=25,单颗裸芯片

    参数

    符号

    最小值

    典型值

    最大值

    单位

    测试条件

    响应范围

    λ

    900


    1650

    nm


    响应度

    R

    0.8

    0.95


    A/W

    λ=1310-1550nm

    暗电流

    ID


    0.05

    0.2

    nA

    VR=-5V, Tc=25℃

    1.2

    2.0

    pF

    VR=-5V, Tc=75℃

    二阶失真

    CSO


    -60


    dBc

    VR=-12V

    三阶失真

    CTB


    -70


    dBc

    VR=-12V

    带宽

    Bw


    1.0


    GHz

    3dB down,RL=50Ω

    有效区直径

    D


    80


    um



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