850nm GaAs PIN 高速光探测器阵列芯片
产品特点带宽高达 28GHz/通道；φ38um 有效面积；850nm 高响应度；正面阳极/阴极焊盘
型号无货号无
应用领域50/200Gbps PAM4 | 112G SR4AOC 接收机 | 4×25Gbps 光纤通道 | 短距离光网络
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Sherry
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规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 850 | 860 | nm | ||
响应度 | R | 0.55 | 0.6 | A/W | λ=850nm | |
暗电流 | ID | 0.01 | 0.05 | nA | VR=-5V | |
电容 | C | 0.07 | 0.10 | pF | VR=-2V,f=1MHz | |
带宽 | Bw | 28 | GHz | VR=-2V | ||
有效区直径 | D | 38 | um | |||
通道之间的中心间距(pitch) | 250 | um |
无
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