型号

MP-PVI-B-2TE-3-1-TO8

MP-PVI-B-2TE-3-1-TO66

类型

光伏型

探测材料

碲镉汞(HgCdTe)异质结外延材料

制冷

两级热电制冷（芯片温度≅230 K）

温度传感器

热敏电阻

有效面积，A_o

1 mm x 1 mm

光学浸入

超半球浸入

封装形式

2TE-TO8

2TE-TO66

接收角

~36°

窗口

wAl₂O₃ (3度楔形蓝宝石窗口)

参数

最小值

典型值

最大值

单位

起始波长， λ_cut-on (10%)

-

2.2

-

um

峰值波长，λ_peak

-

2.8±0.2

-

um

特定波长，λ_spec

-

3.0

-

um

截止波长，λ_cut-off (10%)

-

3.25

-

um

探测率，D* (λ_peak, 20 kHz)

-

1.5x10¹²

-

cm·Hz^1/2/W

探测率，D* (λ_spec, 20 kHz)

5.5x10¹¹

1.0x10¹²

-

cm·Hz^1/2/W

电流响应率，R_i (λ_peak)

-

1.4

-

A/W

电流响应率，R_i (λ_spec)

0.5

0.8

-

A/W

时间常数，τ

-

280

-

ns

动态电阻，R_d

1.5

5

-

kΩ

探测器型号

放大器型号

MP-PVI-B-3-1-TO39

MP-SIP-TO39系列

MP-PVI-B-2TE-3-1-TO8

MP-AIP系列

MP-PIP系列

MP-MIP系列

MP-PVI-B-4TE-3-1-TO8

MP-SIP-TO8系列

MP-FIP系列

参数

测试条件，备注

值

单位

环境工作温度, T_amb

环境温度 T_amb >30°C时，操作可能会导致活性元件温度升高，并降低探测器的性能，使其低于规定的参数

-20~30

℃

存储温度, T_stg

-20~50

℃

焊接温度

不超过5℃

≤300

℃

存储湿度

无露水凝结

10~90

%

最大入射光功率密度

连续波（CW）或单脉冲（脉冲持续时间大于1us）

2.5

W/cm²

单脉冲（脉冲持续时间小于1us）

10

kW/cm²

最大偏置电压, V_{b max}

-800

mV

最大TEC 电压, V_{TEC max}

2TE

1.0

V

4TE

8.3

最大TEC 电流, I_{TEC max}

2TE

1.2

A

4TE

0.4

9

4-40 UNC A2 nut

Stainless steel

8

Thermoeletric cooler

7

Active element carrier

Sapphire/Silicon

6

Active element

HgCdTe/InAs/InAsSb/GaAs

5

Window

Al2O3/ZnSe AR

4

Detector cap

Stainless steel

3

Humidity absorber container

Stainless steel

2

Detector case

Stainless steel

1

TO8 header

Gold plated Kovar

No.

Name

Material

8

Thermoeletric cooler

7

Humidity absorber container

Stainless steel

6

Active element carrier

Sapphire/Silicon

5

Active element

HgCdTe/InAs/InAsSb/GaAs

4

Window

Al2O3/ZnSe AR

3

Detector cap

Stainless steel

2

Detector case

Stainless steel

1

TO66 header

Gold plated Kovar

No.

Name

Material