GaSe（硒化镓）太赫兹晶体
GaSe（硒化镓）太赫兹晶体
GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。
Daisy
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 1mm
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.35mm
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.2mm
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.15mm
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.1mm
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.05mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 2mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 1mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 0.5mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 0.3mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 0.2mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 0.15mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 0.1mm
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 1mm
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.35mm
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.2mm
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.15mm
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.1mm
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GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.05mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 2mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 1mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 0.5mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 0.3mm
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GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 0.2mm
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