VCSEL单模垂直腔面发射激光器低功耗芯片GaAs 894.6 nm 0.2mW
光纤耦合二极管激光源
200-3000nm光纤耦合二极管
自由空间二极管激光源
高功率台式中红外单模FP光源
980nm泵浦激光器
多模无制冷泵浦激光器
低功率泵浦FP激光器
Philips 单模VCSEL激光器
光纤耦合激光二极管
Philips ULM 单模VCSEL激光器
高功率宽区域二极管
蝶形高速调制VCSEL激光器
Philips 单模VCSEL激光器 852nm 1mW
VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm 1mW
带尾纤VCSEL激光器 测试CH4 1654nm 2mW
1550 nm 可调谐 VCSEL TO 封装带光纤尾纤
广域激光器
连续激光二极管
大面积激光二极管
795nm带致冷TO型VCSEL激光二极管
FP高功率激光器 带FBG
高功率FP泵浦激光二极管
850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器
1550nm 单模 VCSEL激光二极管 (用于4.25Gbps高速通信)
波长稳定二极管激光器
1310 nm单模VCSEL 垂直腔面发射激光器（带TEC）
1550nm 可调谐VCSEL垂直腔面发射激光器（带TEC，带准直透镜）
FP激光二极管模块
850nm 单模光纤耦合 VCSEL 激光二极管 用于 4.25Gbps 高速通信
同轴封装保偏光纤耦合激光器
VCSEL单模垂直腔面发射激光器低功耗芯片GaAs 795nm 0.13mW
VCSEL 单模垂直腔面发射激光器 760nm 0.3mW
单模窄线宽高功率DFB激光器 760/795/852/1512/2004nm 输出功率 20/40mW
DFB 激光二极管 852nm 30/40mW
DFB微波激光二极管 1310nm 6.5mW
RF调制DFB激光器 1550nm 10mW (10GHz K头)
单模DFB激光器 1550nm 10/30mW(14pin蝶形封装 2.5G通讯专用)
1064nm DFB激光二极管 (CW功率30mW PW功率100mW)
1027-1080nm脉冲DFB激光二极管 300mW
innolume DFB激光二极管 968-1330nm
1320nm高温高功率DFB激光芯片
1680nm DFB激光二极管（NEL)
1653.74nm DFB激光二极管（NEL)
VCSEL单模垂直腔面发射激光器低功耗芯片GaAs 894.6 nm 0.2mW
垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。
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