795nm VCSEL单模低功耗芯片 GaAs 0.13mW
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垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。
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GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group5 Ta=100±10°C)
MP-VCS-795-0.13-DIE5-SM
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GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group1 Ta=60±10°C)
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