【资讯】激光诱导放电等离子体极紫外光源

随着半导体工业的发展，光刻分辨率限制了极大规模集成电路制造集成度的进一步提升。在采用193 nm光刻技术实现32 nm甚至22 nm节点后，光刻技术的发展遇到了瓶颈。为了进一步减小芯片的特征尺寸，采用更短波长的极紫外（EUV）光刻技术应运而...

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【资讯】高重频极紫外光源：超快谱学研究的支柱

近年来，极紫外高次谐波光源因其强相干性、短脉冲持续时间和高光子能量而在电子动力学领域引起广泛关注，已应用于各种光谱和成像研究。随着科技的进步，这种光源正在朝向更高重复频率、更高光子通量、更高光子能量以及更短脉冲宽度方向发展。这种进步不仅优化...

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【资讯】“极紫外光源及应用”高功率高稳定极紫外高次谐波光源

极紫外光源及其在芯片缺陷检测领域的应用。通过紧聚焦飞秒激光脉冲在稀有气体靶中激发产生的高次谐波，可获得低成本、小型化的相干极紫外（EUV）和软X射线激光光源。得益于极宽的光谱范围和飞秒至阿秒级的脉冲宽度，HHG光源可用于纳米级空间尺度和阿秒...

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【资讯】极紫外光刻光源研发新进展—— 破局高转换效率

极紫外（EUV）光刻机已成为高端芯片大规模量产和工业化不可或缺的设备，目前仅有荷兰ASML公司能够制造但对中国禁售。EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，其研发的主要挑战之一是提高激光到13.5 nm EUV光的能...

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