产品特点极紫外波段；高亮度等离子体；精密光谱控制；真空兼容设计；模块化结构
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应用领域半导体光刻 | 掩模检测 | 表面物理研究 | 同步辐射替代 | 空间探测
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Daisy
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激光平均功率 脉冲重复率 等离子体稳定性
200W 50kHz或135kHz(可调) 3% RMS
主要技术参数
型号 | TEUS S-200 |
激光平均功率 | 200W |
脉冲重复率 | 50kHz或135kHz（可调） |
可收集EUV功率的立体角 | 0.05s |
等离子体尺寸*µm | ≤60或≤40 |
带内辐射转换效率(13.5 nm±1%) | 2%@2π·sr或1.6%@2π·sr |
ЕUV碎片缓减系统后带内通量收集角(13.5nm±1%) | 22mW或18mW |
碎片缓减系统后带内光谱亮度(13.5nm±1%)，W/mm2·sr | ≥160W/mm2·sr或≥280W/mm2·sr |
等离子体稳定性 | 3%RMS |
系统寿命和维护要求
型号 | TEUS S-200 |
在24/7运行模式下，不使用特殊膜过滤器，收集器寿命下降10% | 不少于4个月 |
在全天候运行模式下，使用特殊膜过滤器，集热器寿命下降10% | 不少于9个月 |
维护间隔: | 3个月- 2天 |
正常运行时间在全天候运行模式*** | 3个月 |
电力，系统尺寸和重量
型号 | TEUS S-200 |
电功率 | 8.5kW |
尺寸（L×W×H） | 1500×1000×1200 mm |
重量，包括激光部件 | 770 公斤 |
设备需求
型号 | TEUS S-200 |
房间清洁度等级 | ISO7 |
水流速率 | 10升/分钟 |
无
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