PL-VCSEL-0760-0-A82 型 760nm 垂直腔面发射激光器（VCSEL）是一款垂直出光的单模半导体激光器，其芯片采用金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的 GaAsP/AlGaAs 材料制成。芯片被封装在 TO46 管壳内，可通过调节激光电流和温度实现波长调谐。该封装内置半导体制冷器（TEC）和光电探测器（PD），专为可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）应用设计。其优异的窄线宽特性，使其成为无需制冷器（TEC）即可用于氧气浓度分析的低成本理想选择。
产品特点100MHz 谱宽；波长可调谐；带增透膜（AR涂层）的TO46窗口；专为氧气传感优化设计
产品货号无
应用领域TDLAS氧气传感 | 傅里叶变换红外光谱
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Daisy
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中心波长
760-763nm
激光器规格
条件： TOP=20℃，IOP=2.0mA 除非另有说明（TO P = 芯片背面温度，由半导体制冷器（TEC）控制）
参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
发射波长 | λR | 从以下吸收线中精确选择波长的详细说明 | ||||
阈值电流 | ITH | 0.5 | mA | |||
输出功率 | Popt | 0.25 | 0.5 | 0.75 | mW | |
阈值电压 | UTH | 1.8 | V | |||
驱动电流 | IOP | 2 | mA | Popt = 0.3 mW | ||
激光电压 | UOP | 2 | V | Popt = 0.3 mW | ||
电光转换效率 | ηWP | 12 | % | Popt = 0.3 mW | ||
斜率效率 | ηS | 0.3 | W/A | |||
微分串联电阻 | RS | 250 | Ω | Popt = 0.3 mW | ||
3dB带宽 | v3dB | 0.10 | GHz | Popt = 0.3 mW, 由于存在静电保护二极管 | ||
相对强度噪声 | RIN | -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz | |
电流调谐波长 | 0.6 | nm/mA | ||||
热敏电阻 （VCSEL 芯片） | Rthermal | 3 | 5 | K/mW | ||
边模抑制比 | 25 | dB | I = 2 mA | |||
光束发散角 | θ | 10 | 25 | ° | Popt = 0.3 mW, 全宽 1/e2 | |
光谱宽度 | 100 | MHz | Popt = 0.3 mW | |||
光谱图
L-I 曲线（T@25℃）
我们强烈建议将最大电流控制在 2mA 以内，以确保这款垂直腔面发射激光器（VCSEL）的性能稳定。
氧气吸收线
尺寸和引脚定义（单位：mm）
PIN 编号 | 描述 |
1 | LD- |
2 | LD+ |
绝对最大额定值（T=25℃，IF=2mA）
项 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
存储温度 | C | -40 | 25 | 125 |
芯片温度 | °C | 10 | 25 | 40 |
工作电流 | mA | 0 | 2 | 2.5 |
正向电压 | V | 0.8 | 1.2 | 1.8 |
焊接温度* | °C | 100 | 130 | 270 |
电功率耗散 | mw | - | - | 5 |
订购信息
PL-VCSEL-□□□□-☆-A8▽-TO39-XX
□□□□: Wavelength
0760: 760nm
*****
1653.7: 1653.7nm
☆: TEC
0: Without TEC
1: With TEC
▽: Wavelength Tolerance
1: ±0.5nm
2: ±1.5nm
无
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