InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片
产品特点带宽高达 30GHz；底照式平面结构；低 VBR 温度系数；高响应度
型号无
应用领域50G-PON | 100G以太网 | 长距离光纤网络
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Sherry
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无
规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 1000 | 1650 | nm | ||
击穿电压 | Vbr | 18 | 30 | V | ld=10uA | |
VBR温度系数 | 0.015 | V/℃ | ||||
响应 | R | 4.5 | A/W | VR=Vbr-2V | ||
暗电流 | ID | 300 | nA | VR=Vbr-2V | ||
电容 | C | 0.04 | 0.08 | pF | VR=Vbr-1V;f=1MHz | |
带宽 | Bw | 30 | GHz | 3dB down,RL=50Ω |
无
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