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首页 光电探测器 探测器芯片 InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片 2.5-10Gbps InGaAs APD Chip 2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um

    • 2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片

    产品特点数据速率高达 2.5Gbps；φ50um 有效面积；高响应度；顶照式平面结构

    产品货号无

    应用领域OTDR | GPON OLT/XG-PON OLT | 长途光纤网络

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    主要参数
  • 核心参数

  • 无

    无

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    • 详细参数

    规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）

    参数

    符号

    最小值

    典型值

    最大值

    单位

    测试条件

    响应范围

    λ

    900


    1650

    nm


    击穿电压

    Vbr

    40


    50

    V

    ld=10uA

    VBR温度系数



    0.12


    V/℃


    响应

    R

    12

    15


    A/W

    VR=Vbr-3V

    暗电流

    ID


    0.4

    10

    nA

    VR=Vbr-3V

    电容

    C


    0.18

    0.3

    pF

    VR=38V;f=1MHz

    带宽

    Bw


    2.5


    GHz

    3dB down,RL=50Ω

    有效区直径

    D


    50


    um


    芯片尺寸



    250*250*150


    um

    L*W*H


    可选配置表

    无

    产品资料

    暂无资料

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