InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片
产品特点φ200um有效面积；高增益>30 @Vbr-1V；高响应度；顶照式平面结构
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应用领域激光雷达 (LiDAR) | 测距仪 | 测量仪器
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Sherry
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规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
击穿电压 | Vbr | 40 | 55 | V | ld=10uA | |
VBR温度系数 | 0.12 | V/℃ | ||||
响应 | R | 30 | A/W | VR=Vbr-1V | ||
暗电流 | ID | 6.0 | 20 | nA | VR=Vbr-3V | |
电容 | C | 1.6 | pF | VR=38V;f=1MHz | ||
带宽 | Bw | 2.0 | GHz | 3dB down,RL=50Ω | ||
有效区直径 | D | 200 | um | |||
芯片尺寸 | 350*350*150 | um | L*W*H |
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