InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片
产品特点高增益，高达 50；φ30um 有效面积；低暗电流；顶照式平面结构
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应用领域激光雷达 | 激光测距 | 光纤传感器
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Sherry
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规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
击穿电压 | Vbr | 65 | 80 | V | ld=10uA | |
VBR温度系数 | 0.12 | V/℃ | ||||
响应 | R | 40 | A/W | VR=Vbr-0.5V | ||
暗电流 | ID | 5 | nA | VR=Vbr-0.5V | ||
电容 | C | 0.56 | 0.8 | pF | VR=38V;f=1MHz | |
带宽 | Bw | 2.5 | GHz | 3dB down,RL=50Ω | ||
有效区直径 | D | 30 | um | |||
芯片尺寸 | 220*220*120 | um | L*W*H |
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