• 850nm 10Gbps GaAs PD Chip φ60um

    850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片

    产品特点数据速率高达 10-40Gbps;φ60um 有效面积;850nm 高响应度;正面阳极/阴极焊盘

    型号货号

    应用领域10G/40G SR4 AOC | 4×10Gbps 光纤通道 | 40Gbps QSFP | HDMI 2.1

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    Sherry

    电话:16628709332

    邮箱:moli@microphotons.com

    主要参数
  • 核心参数
  • 尺寸图
  • 详细参数

    image.png


    规格(Tc=25,单颗裸芯片

    参数

    符号

    最小值

    典型值

    最大值

    单位

    测试条件

    响应范围

    λ


    850

    860

    nm


    响应度

    R

    0.55

    0.6


    A/W

    λ=850nm

    暗电流

    ID


    0.08

    0.3

    nA

    VR=-5V

    电容

    C


    0.14

    0.16

    pF

    VR=-2V,f=1MHz

    带宽

    Bw


    12


    GHz

    VR=-2V
    3dB down,RL=50Ω

    有效区直径

    D


    60


    um


    通道之间的中心间距(pitch)



    250


    um



    可选配置表

    产品资料

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