850nm GaAs PIN 高速光探测器阵列芯片
产品特点数据速率高达 100Gbps/channel；响应范围：850nm-910nm；850nm 高响应度；GSG 电极结构
型号无货号无
应用领域100/400/800Gbps WDM PAM4 | 200Gbps QSFP56 SR4/FR4 | 4×56Gbps 光纤通道
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Sherry
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规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 850 | 910 | nm | ||
响应度 | R | 0.55 | 0.6 | A/W | λ=850nm | |
暗电流 | ID | 0.01 | 0.05 | nA | VR=-5V | |
电容 | C | 0.05 | 0.08 | pF | VR=-2V,f=1MHz | |
带宽 | Bw | 32 | GHz | VR=-2V | ||
有效区直径 | D | 32 | um | |||
通道之间的中心间距(pitch) | 250 | um |
无
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