• HgCdTe 室温光浸入式光伏型多结红外探测器 2.0-12.0um

    MP-PVMI-B-10.6-1-TO39 是一款基于碲镉汞(HgCdTe)异质结构的室温(非制冷)光学浸没式光伏型多结红外探测器,旨在通过光学浸没技术提升性能参数并实现最佳性能与稳定性。其特定波长(λspec)为 10.6 µm,光学面积(Ao)为 1 mm × 1 mm。该探测器采用 TO39 封装,且不含窗口(NW)。

    产品特点光谱范围: 2.0 to 12 µm;背照式;快速响应;室温工作;无需外加偏置电压;应用独特的浸没透镜技术;无 1/f 噪声

    型号MP-PVMI-B-10.6-1-TO39

    应用领域气体探测、监测与分析:SO₂, NH₃, SF₆等气体检测 | 化学、生物、放射性与核威胁探测 | 二氧化碳激光器测量 | 自由空间光通信​ | 傅里叶变换红外光谱分析​ | 医学领域细菌鉴定​ | 牙科应用​ | 血糖传感

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    Sherry

    电话:16628709332

    邮箱:moli@microphotons.com

    主要参数
  • 核心参数
  • 起始波长 峰值波长

    2.0um 8.5±1.0um

  • 尺寸图
  • 详细参数

    探测器配置

    型号

    MP-PVMI-B-10.6-1-TO39

    类型

    光伏型,多结型

    探测材料

    碲镉汞(HgCdTe)异质结外延材料

    制冷

    温度传感器

    N/A

    有效面积,Ao

    1mm x 1 mm

    光学浸入

    超半球浸入

    封装形式

    TO39(3pin)

    接收角,Φ

    ~36°

    窗口

     

    参数(Tamb=Tchip=293K,Vb=0V)

    参数

    最小值

    典型值

    最大值

    单位

    起始波长, λcut-on (10%)

    -

    2.0

    -

    um

    峰值波长,λpeak

    -

    8.5±1.0

    -

    um

    特定波长,λspec

    -

    10.6

    -

    um

    截止波长,λcut-off (10%)

    -

    12.0

    -

    um

    探测率,D* (λpeak, 20 kHz)

    -

    2.0x108

    -

    cm·Hz1/2/W

    探测率,D* (λspec, 20 kHz)

    1.0x108

    -

    -

    cm·Hz1/2/W

    电流响应率,Ri peak)

    -

    0.02

    -

    A/W

    电流响应率,Ri (λspec)

    0.01

    0.015

    -

    A/W

    时间常数,τ

    -

    1.5

    -

    ns

    动态电阻,Rd

    20

    50

    -

    Ω

     

    光谱响应(Tamb=293K)

     

     

    推荐使用的放大器

    探测器型号

    放大器型号

    MP-PVMI-B-10.6-1-TO39

    MP-SIP-TO39系列

    MP-PVMI-B-2TE-10.6-1-TO8

    MP-AIP系列

    MP-PIP系列

    MP-MIP系列

    MP-SIP-TO8系列

    MP-PVMI-B-4TE-10.6-1-TO8

     

    绝对最大额定值

    参数

    测试条件,备注

    单位

    环境工作温度, Tamb

    环境温度 Tamb >30°C时,操作可能会导致活性元件温度升高,并降低探测器的性能,使其低于规定的参数

    -20~30

    存储温度, Tstg


    -20~50

    焊接温度

    不超过5℃

    ≤300

    存储湿度

    无露水凝结

    10~90

    %

    最大入射光功率密度

    连续波(CW)或单脉冲(脉冲持续时间大于1us)

    2.5

    W/cm2

    单脉冲(脉冲持续时间小于1us)

    10

    kW/cm2

    最大偏置电压, Vb max

    无须偏置电压

    -

    -

    最大TEC 电压, VTEC max

    2TE

    1.0

    V

    4TE

    8.3

    最大TEC 电流, ITEC max

    2TE

    1.2

    A

    4TE

    0.4

     

    超出"绝对最大额定值"所列范围的应力可能导致器件永久性损坏。持续或反复暴露在绝对最大额定值条件下,可能会影响器件的质量与可靠性。


    机械结构与引脚定义

     1.3.png

     

     Φ-Accecptance angle

    4

    Active element carrier

    Sapphire/Silicon

    3

    Active element

    HgCdTe/GaAs

    2

    Detector cap

    Brass

    1

    TO39 header

    Gold plated Kovar

    No.

    Name

    Material

     

    可选配置表

    产品资料

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