型号

MP-PVMI-B-4TE-10.6-1-TO8

MP-PVMI-B-4TE-10.6-1-TO66

类型

光伏型，多结型

探测材料

碲镉汞(HgCdTe)异质结外延材料

制冷

四级热电制冷（芯片温度≅197 K）

温度传感器

热敏电阻

有效面积，A

1 mm x 1 mm

光学浸入

超半球浸入

封装形式

4TE-TO8

4TE-TO66

接收角

~36°

窗口

wZnSeAR(3度楔形ZnSe，抗反射涂层)

参数

最小值

典型值

最大值

单位

起始波长， λ_cut-on (10%)

-

2.0

-

um

峰值波长，λ_peak

-

9.0±1.0

-

um

特定波长，λ_spec

-

10.6

-

um

截止波长，λ_cut-off (10%)

-

12.0

-

um

探测率，D* (λ_peak, 20 kHz)

-

3.0x10⁹

-

cm·Hz^1/2/W

探测率，D* (λ_spec, 20 kHz)

2.5x10⁹

-

-

cm·Hz^1/2/W

电流响应率，R_i (λ_peak)

-

0.36

-

A/W

电流响应率，R_i (λ_spec)

0.18

0.2

-

A/W

时间常数，τ

-

3

-

ns

动态电阻，R_d

120

250

-

Ω

探测器型号

放大器型号

MP-PVMI-B-10.6-1-TO39

MP-SIP-TO39系列

MP-PVMI-B-2TE-10.6-1-TO8

MP-AIP系列

MP-PIP系列

MP-MIP系列

MP-SIP-TO8系列

MP-PVMI-B-4TE-10.6-1-TO8

参数

测试条件，备注

值

单位

环境工作温度, T_amb

环境温度 T_amb >30°C时，操作可能会导致活性元件温度升高，并降低探测器的性能，使其低于规定的参数

-20~30

℃

存储温度, T_stg

-20~50

℃

焊接温度

不超过5℃

≤300

℃

存储湿度

无露水凝结

10~90

%

最大入射光功率密度

连续波（CW）或单脉冲（脉冲持续时间大于1us）

2.5

W/cm²

单脉冲（脉冲持续时间小于1us）

10

kW/cm²

最大偏置电压, V_{b max}

无须偏置电压

-

-

最大TEC 电压, V_{TEC max}

2TE

1.0

V

4TE

8.3

最大TEC 电流, I_{TEC max}

2TE

1.2

A

4TE

0.4

10

4-40 UNC A2 nut

Stainless steel

9

Thermoeletric cooler

8

Anticonvection carrier

POM

7

Active element carrier

Sapphire/Silicon

6

Active element

HgCdTe/InAs/InAsSb/GaAs

5

Window

Al2O3/ZnSe AR

4

Detector cap

Stainless steel

3

Humidity absorber container

Stainless steel

2

Detector case

Stainless steel

1

TO8 header

Gold plated Kovar

No.

Name

Material

9

Thermoeletric cooler

8

Humidity absorber container

Stainless steel

7

 Anticonvection carrier

POM

6

Active element carrier

Sapphire/Silicon

5

Active element

HgCdTe/InAs/InAsSb/GaAs

4

Window

Al2O3/ZnSe AR

3

Detector cap

Stainless steel

2

Detector case

Stainless steel

1

TO66 header

Gold plated Kovar

No.

Name

Material