【资讯】激光诱导放电等离子体极紫外光源

随着半导体工业的发展，光刻分辨率限制了极大规模集成电路制造集成度的进一步提升。在采用193 nm光刻技术实现32 nm甚至22 nm节点后，光刻技术的发展遇到了瓶颈。为了进一步减小芯片的特征尺寸，采用更短波长的极紫外（EUV）光刻技术应运而...

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【资讯】高重频极紫外光源：超快谱学研究的支柱

近年来，极紫外高次谐波光源因其强相干性、短脉冲持续时间和高光子能量而在电子动力学领域引起广泛关注，已应用于各种光谱和成像研究。随着科技的进步，这种光源正在朝向更高重复频率、更高光子通量、更高光子能量以及更短脉冲宽度方向发展。这种进步不仅优化...

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【资讯】“极紫外光源及应用”高功率高稳定极紫外高次谐波光源

极紫外光源及其在芯片缺陷检测领域的应用。通过紧聚焦飞秒激光脉冲在稀有气体靶中激发产生的高次谐波，可获得低成本、小型化的相干极紫外（EUV）和软X射线激光光源。得益于极宽的光谱范围和飞秒至阿秒级的脉冲宽度，HHG光源可用于纳米级空间尺度和阿秒...

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【资讯】极紫外光刻光源研发新进展—— 破局高转换效率

极紫外（EUV）光刻机已成为高端芯片大规模量产和工业化不可或缺的设备，目前仅有荷兰ASML公司能够制造但对中国禁售。EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，其研发的主要挑战之一是提高激光到13.5 nm EUV光的能...

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【资讯】双色激光场激发空气等离子体，实现太赫兹辐射新方法

等离子体光源,极紫外光源，EUV光源与泵浦探测系统,封面展示了双色激光聚焦形成的等离子体光丝，光丝内正负带电粒子的微观运动轨迹被艺术化为星云，它们既在双色激光场与等离子体环境中各自独立运动又彼此相互影响。这个高度非线性过程激发了与带电粒子运...

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【资讯】等离子体拉曼前向散射光放大取得新突破

上海交通大学盛政明教授研究团队首次提出基于同向传播的泵浦和种子激光脉冲，在等离子体中激发拉曼前向散射过程，从而实现种子光脉冲放大的方案（FRA）。在FRA方案中，满足拉曼前散相位匹配条件的泵浦光脉冲和种子光脉冲同向注入相应密度的等离子体。...

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