780.241nm分布布拉格反射（DBR）系列高性能边发射激光二极管，基于筱晓光子先进的单片集成单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光二极管可输出单空间模式光束，且采用钝化端面设计以确保可靠性。780.241nm系列DBR器件适用于基于铷(Rb）的原子光谱学应用。该系列器件通过了光谱认证，能保证在室温 ±10°C 范围内精准覆盖铷的 D2 跃迁谱线。
产品特点原子能级精准匹配 ；极致的光谱性能 ；优异的功率与光束品质
产品货号无
应用领域原子物理学与量子技术 | 精密测量与传感
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Daisy
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中心波长
780.241nm
780.241nm（COS）封装特性
芯片架构 | |||
参数1 | HOT3 (高工作温度) |
低功率 |
高功率 |
标称波长(nm)2 | 780.241 ± 0.6 | ||
功率范围 (mW) | 10–30 | 40–80 | 80–180 |
最大工作电流 (CW & Pulsed) (mA) | 80 | 140 | 250 |
最大工作电流下的光功率 (mW) | 30 | 80 | 180 |
标称斜率效率 (W/A) | 0.6 | 0.9 | 0.85 |
标称阈值电流 (mA) | 30 | 40 | 60 |
1.除非另有说明，所有参数均在结温为 25°C 时测得。如在这些参数范围外使用，保修将失效
2. 密封封装中可能包含与标称值偏差 ±1.2 纳米的衬底上芯片（CoS）。
3. 高温特性在 65 摄氏度下指定。
可用的自由空间封装附加件
激光器规格
参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
存储温度 | °C | 0 | - | 70 |
壳体工作温度 | °C | 5 | - | 70 |
激光芯片工作温度 ¹ | °C | 5 | - | 45 |
激光器串联电阻 | Ω | - | 2 | - |
LIV 电流下的激光器正向电压 | V | - | 2 | - |
LIV 电流下的标称激光器线宽 | kHz | - | 500 | - |
半高全宽处的光束发散角（θ|| × θ⊥） | º | - | 6 x 28 | 8 x 32 |
边模抑制比（SMSR） | dB | - | -40 | - |
偏振消光比 | dB | -17 | -20 | - |
激光器偏振态 | TE | |||
模式结构 | 基础模式 | |||
温度调谐速率 | nm/°C | - | 0.06 | - |
电流调谐速率 | nm/mA | - | 0.002 | - |
激光器反向电压 | V | - | - | 0 |
若未采用密封封装，不建议在露点以下使用
自由空间封装附加组件规格
参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
光电二极管正向电流 | mA | - | - | 10 |
光电二极管反向电压 | V | - | - | 50 |
TEC电流(TOSA) | A | -1.1 | - | 1.1 |
TEC电压(TOSA) | V | -3.0 | - | 3.0 |
TEC电流 TO-8 | A | -1.8 | - | 1.8 |
TEC电压 TO-8 | V | -2.2 | - | 2.2 |
热敏电阻 | kΩ | - | 10 | - |
操作注意事项
此产品为静电敏感器件。操作模块时，必须使用接地的工作区域和防静电手环。存放时，务必将其放入防静电容器中，并将所有引线短接。
恒流条件下空气波长随温度变化的特性
随电流变化的LIV特性
无
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