808nmDBR系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术制成。该系列二极管可输出单空间模式光束，且采用钝化端面以确保可靠性。808nm DBR系列器件可用作低噪声泵浦源，适用于生物医学诊断及成像领域。
产品特点卓越的光谱性能；高功率与高可靠性；优异的光束质量
产品货号无
应用领域高性能泵浦应用 | 高端传感与科学应用
产品单价联系客服询价
到货日期请咨询客服获得货期
产品库存请咨询客服
Daisy
电话：18602170419
邮箱：moli@microphotons.com
中心波长
808nm
|
|
芯片载体封装（CoS） | 芯片载体封装+无跳模（MHF） |
808nm DBR 芯片载体封装（CoS）特性
芯片结构 | |
参数1 | 高功率 |
标称波长（nm）2 | 808 ± 0.6 |
功率范围（mW） | 80-180 |
最大工作电流（CW&脉冲）（mA） | 250 |
最大工作电流时光功率（mW） | 180 |
标称斜率效率（W/A） | 0.85 |
标称阈值电流（mA） | 60 |
1. 除非另有说明，所有特性均在外壳温度（TC）为 25°C 时测得。超出这些参数范围操作将导致保修失效。
2. 密封封装中可能包含芯片载体（CoS），其波长与标称值的偏差为 ±1.2 nm.
可用的自由空间封装附加组件
|
|
|
TO-8 | C-Mount | 发射光学次模块（TOSA） |
参数
激光
参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
存储温度 | ℃ | 0 | - | 70 |
壳体工作温度 | ℃ | 5 | - | 70 |
激光芯片工作温度1 | ℃ | 5 | - | 45 |
激光器串联电阻 | Ω | - | 2 | - |
激光正向电压@LIV 电流 | V | - | 2 | - |
激光器线宽，典型@LIV 电流 | kHz | - | 500 | - |
光束发散角@FWHM (θ|| x θ⊥) | º | - | 6x28 | 8 x 32 |
边模抑制比（SMSR） | dB | - | -40 | - |
偏振消光比 | dB | -17 | -20 | - |
激光器偏振态 | TE | |||
模式结构 | 基本模式 | |||
温度调谐速率 | nm/℃ | - | 0.06 | - |
电流调谐速率 | nm/mA | - | 0.002 | - |
激光器反向电压 | V | - | - | 0 |
1. 若未采用密封封装，不建议在露点以下环境中工作
自由空间封装附加组件
参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
光电二极管正向电流 | mA | - | - | 10 |
光电二极管反向电压 | V | - | - | 50 |
TEC 电流（TOSA） | A | -1.1 | - | 1.1 |
TEC 电压（TOSA） | V | -3.0 | - | 3.0 |
TEC 电流（TO-8） | A | -1.8 | - | 1.8 |
TEC 电压（TO-8） | V | -2.2 | - | 2.2 |
热敏电阻 | kΩ | - | 10 | - |
操作注意事项：
这些器件对静电放电（ESD）敏感。操作模块时，必须使用接地的工作区域和防静电腕带。存放时务必置于防静电容器中，并将所有引线短接。
恒定电流下的空气波长随温度变化特性
随电流变化的LIV特性
无
新品推荐
精品现货
非标定制
质量保证
产品研发
顺丰速运
