770-900nm高功率DBR二极管
基于筱晓光子先进的单片集成单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光二极管可输出单空间模式光束，且采用钝化端面设计以确保可靠性。DBR器件适用于基于铷(Rb）的原子光谱学应用。该系列器件通过了光谱认证，能保证在室温 ±10°C 范围内精准覆盖铷的 D2 跃迁谱线。
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基于筱晓光子先进的单片集成单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光二极管可输出单空间模式光束，且采用钝化端面设计以确保可靠性。DBR器件适用于基于铷(Rb）的原子光谱学应用。该系列器件通过了光谱认证，能保证在室温 ±10°C 范围内精准覆盖铷的 D2 跃迁谱线。
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780.241nm DBR激光二极管
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785nm DBR激光二极管
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794.978nm DBR激光二极管
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808nm DBR激光二极管
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810nm DBR激光二极管
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828nm DBR激光二极管
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830nm DBR激光二极管
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845.584nm DBR激光二极管
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854.209nm DBR激光二极管
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800nm DBR激光二极管
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