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HgCdTe 室温工作光伏型多结红外探测器 2.0-12.0um 1x1
MP-PVM-B-10.6-1-TO39是一款基于碲镉汞(HgCdTe)异质结构的室温(非制冷)光伏型多结红外探测器,旨在实现最佳性能与稳定性。其特定波长(λspec)为 10.6 µm,有效感光面积(A)为 1 mm × 1 mm。该探测器采用 TO39 封装,且不含窗口(NW)。
HgCdTe 四级制冷光浸入式光伏型红外探测器 3.0-12.0um 1x1
MP-PVI-B-4TE-10.6-1.0-TO8 与MP-PVI-B-4TE-10.6-1.0-TO66 是基于碲镉汞异质结的四级热电制冷(4TE)光伏型红外探测器,旨在实现最优性能与稳定性,并采用光学浸没技术以提升参数性能。其特定波长 (λspec)为10.6 µm,光学面积(Ao)为1.0 mm × 1.0 mm。起始波长 (λcut-on)可根据需求进行优化。施加反向偏压(Vb)可显著提高响应速度与动态范围。尽管这有助于改善高频性能,但需注意偏置探测器产生的1/f噪声可能会降低低频性能。该探测器提供TO8和TO66两种封装形式,并配有3度楔形硒化锌增透膜窗口(wZnSeAR),以消除的干涉效应
HgCdTe 四级制冷光浸入式光伏型红外探测器 3.0-12.0um 0.5x0.5
MP-PVI-B-4TE-10.6-0.5-TO8 与MP-PVI-B-4TE-10.6-0.5-TO66 是基于碲镉汞异质结构的四级热电制冷(4TE)光伏型红外探测器,旨在实现最优性能与稳定性,并采用光学浸没技术以提升参数性能。其特定波长 (λspec)为10.6 µm,光学面积(Ao)为0.5 mm × 0.5 mm。起始波长(λcut-on)可根据需求进行优化。施加反向偏压(Vb)可显著提高响应速度与动态范围。尽管这有助于改善高频性能,但需注意偏置探测器产生的1/f噪声可能会降低低频性能。该探测器提供TO8和TO66两种封装形式,并配有3度楔形硒化锌增透膜窗口(wZnSeAR),以消除的干涉效应
HgCdTe 三级制冷光浸入式光伏型红外探测器 3.0-12.0um
MP-PVI-B-3TE-10.6-0.5-TO8 与MP-PVI-B-3TE-10.6-0.5-TO66 是基于碲镉汞异质结构的三级热电制冷(3TE)光伏型红外探测器,旨在实现最优性能与稳定性,并采用光学浸没技术以提升参数性能。其特定波长 (λspec)为10.6 µm,光学面积(Ao)为0.5 mm × 0.5 mm。起始波长可根据需求进行优化。施加反向偏压(Vb)可显著提高响应速度与动态范围。尽管这有助于改善高频性能,但需注意偏置探测器产生的1/f噪声可能会降低低频性能。该探测器提供TO8和TO66两种封装形式,并配有3度楔形硒化锌增透膜窗口(wZnSeAR),以消除的干涉效应
HgCdTe 四级制冷光伏型多结红外探测器 2.0-9.8um
MP-PVMI-B-4TE-8-1-TO8 与 MP-PVMI-B-4TE-8-1-TO66 是基于碲镉汞异质结的四级热电制冷(4TE)光伏型多结红外探测器,旨在实现最优性能与稳定性,并采用光学浸没技术以提升参数性能。其特定工作波长 (λspec)为8.0 µm,光学面积(Ao) 为1 mm × 1 mm。该探测器提供TO8与TO66两种封装形式,并配有3度楔形硒化锌增透膜窗口(wZnSeAR),以消除干涉效应。
HgCdTe 两级制冷光伏型多结红外探测器 2.0-10.0um 3x3
MP-PVM-B-2TE-8-3-TO8 与 MP-PVM-B-2TE-8-3-TO66 基于碲镉汞异质结构的两级热电制冷(2TE)光伏型多结红外探测器,旨在实现最优性能与稳定性。其特定工作波长 (λspec)为8.0 µm,有效感光面积 (A) 为3 mm × 3 mm。该探测器提供TO8与TO66两种封装形式,并配有3度楔形硒化锌增透膜窗口(wZnSeAR),以消除干涉效应。
HgCdTe 两级制冷光伏型多结红外探测器 2.0-10.0um 2x2
MP-PVM-B-2TE-8-2-TO8 与 MP-PVM-B-2TE-8-2-TO66 是基于碲镉汞异质结构的两级热电制冷(2TE)光伏型多结红外探测器,旨在实现最优性能与稳定性。其特定波长(λspec)为8.0 µm,有效感光面积(A)为2 mm × 2 mm。该探测器提供TO8与TO66两种封装形式,并配有3度楔形硒化锌增透膜窗口(wZnSeAR),以消除干涉效应。
HgCdTe 两级制冷光伏型多结红外探测器 2.0-10.0um 1x1
MP-PVM-B-2TE-8-1-TO8 与 MP-PVM-B-2TE-8-1-TO66 是基于碲镉汞异质结构的两级热电制冷(2TE)光伏型多结红外探测器,旨在实现最优性能与稳定性。其特定工作波长 (λspec)为8.0 µm,有效感光面积 (A) 为1 mm × 1 mm。该探测器提供TO8与TO66两种封装形式,并配有3度楔形硒化锌增透膜窗口(wZnSeAR),以消除干涉效应。
HgCdTe 四级制冷光浸入式光伏型红外探测器 3.0-10.0um
MP-PV-B-4TE-8-1-TO8 与 MP-PV-B-4TE-8-1-TO66 是基于 HgCdTe 异质结构的四级热电制冷(4TE)光伏型红外探测器,旨在实现最佳性能与稳定性,并采用光学浸入技术以提升各项参数。其特定波长(λspec)为 8.0 µm,光学接收面(Ao)尺寸为 1 mm × 1 mm。可根据需求优化起始波长 (λcut-on)。施加反向偏压(Vb)可显著提升响应速度与动态范围,虽然这有助于增强高频性能,但需注意偏压探测器产生的 1/f 噪声可能导致低频性能下降。该探测器提供带 3° 楔形镀增透膜硒化锌窗口(wZnSeAR)的 TO8 和 TO66 封装,以防止不必要的干涉效应。
HgCdTe 两级制冷光浸入式光伏型红外探测器 3.0-8.9um
MP-PVI-B-2TE-8-1-TO8 和 MP-PVI-B-2TE-8-1-TO66 是基于 HgCdTe 异质结的两级热电制冷(2TE)光伏型红外探测器,旨在实现最佳性能与稳定性,并采用光学浸入技术以提升各项参数。其特定波长(λspec)为 8.0 µm,光学接收面(Ao)尺寸为 1 mm × 1 mm。可根据需求优化起始波长 (λcut-on)。施加反向偏压(Vb)可显著提升响应速度与动态范围,虽然这有助于增强高频性能,但需注意偏压探测器产生的 1/f 噪声可能导致低频性能下降。该探测器提供带 3° 楔形镀增透膜硒化锌窗口(wZnSeAR)的 TO8 和 TO66 封装,以防止不必要的干涉效应。
HgCdTe 四级制冷光伏型红外探测器 3.0-10.6um
MP-PV-B-4TE-8-0.1-TO8 和 MP-PV-B-4TE-8-0.1-TO66是基于HgCdTe异质结构的四级热电制冷(4TE)光伏红外探测器,旨在实现卓越的性能与稳定性。其特定波长(λspec)为8.0 µm,有效感光面积(A)为0.1 mm × 0.1 mm。起始波长(λcut-on)可根据要求进行优化。施加反向偏置电压(Vb)可显著提升响应速度与动态范围。此举虽有助于改善高频性能,但需注意偏置探测器产生的1/f噪声可能影响低频性能表现。该系列探测器提供TO8和TO66两种封装可选,均配备3度楔形硒化锌增透膜窗口(wZnSeAR),以避免不必要的干涉效应。
HgCdTe 四级制冷光浸入式光伏红外探测器 2.6-7.0um
MP-PVI-B-4TE-6-1-TO8和MP-PVI-B-4TE-6-1-TO66是基于 HgCdTe 异质结的四级热电制冷(4TE)光伏型红外探测器,旨在实现最佳性能与稳定性,并采用光学浸入技术以提升各项参数。其特定波长(λspec)为 6.0 µm,光学接收面(Ao)尺寸为 1 mm × 1 mm。可根据需求优化起始波长 (λcut-on)。施加反向偏压(Vb)可显著提升响应速度与动态范围,虽然这有助于增强高频性能,但需注意偏压探测器产生的 1/f 噪声可能导致低频性能下降。该探测器提供带 3° 楔形镀增透膜硒化锌窗口(wZnSeAR)的 TO8 和 TO66 封装,以防止不必要的干涉效应。