HgCdTe 三级制冷光浸入式光伏型红外探测器 2.3-4.4um

MP-PVI-B-3TE-4-1-TO8 与 MP-PVI-B-3TE-4-1-TO66 是基于 HgCdTe 异质结的三级热电制冷（3TE）光伏型红外探测器，旨在实现最佳性能与稳定性，并采用光学浸入技术以提升各项参数。其特定波长（λspec）为 4.0 µm，光学接收面（Ao）尺寸为 1 mm × 1 mm。可根据需求优化起始波长（λcut-on）。施加反向偏压（Vb）可显著提升响应速度与动态范围，虽然这有助于增强高频性能，但需注意偏压探测器产生的 1/f 噪声可能导致低频性能下降。该探测器提供带 3° 楔形蓝宝石窗口（wAl2O3）的 TO8 和 TO66 封装，以防止不必要的干涉效应。

HgCdTe 两级制冷光浸入式光伏型红外探测器 2.3-4.4um

MP-PVI-B-2TE-4-1-TO8 与 MP-PVI-B-2TE-4-1-TO66 是基于 HgCdTe 异质结的两级热电制冷（2TE）光伏型红外探测器，旨在实现最佳性能与稳定性，并采用光学浸入技术以提升各项参数。其特定波长（λspec）为 4.0 µm，光学接收面（Ao）尺寸为 1 mm × 1 mm。可根据需求优化起始波长（λcut-on）。施加反向偏压（Vb）可显著提升响应速度与动态范围，虽然这有助于增强高频性能，但需注意偏压探测器产生的 1/f 噪声可能导致低频性能下降。该探测器提供带 3° 楔形蓝宝石窗口（wAl2O3）的 TO8 和 TO66 封装，以防止不必要的干涉效应。

HgCdTe 室温光浸入式光伏红外探测器 2.3-4.4um

MP-PVI-B-4-1-TO39是一款基于HgCdTe异质结的非制冷光伏型红外探测器，旨在实现最佳性能与稳定性，并采用光学浸入技术以提升各项参数。其特定波长（λspec）为4.0 µm，光学接收面（Ao）尺寸为1 mm × 1 mm。可根据需求优化起始波长（λcut-on）。施加反向偏压（Vb）可显著提升响应速度与动态范围，虽然这有助于增强高频性能，但需注意偏压探测器产生的1/f噪声可能导致低频性能下降。该探测器采用无窗口TO39封装。

HgCdTe 两级制冷光伏型红外探测器 2.3-4.4um

MP-PV-B-2TE-4-0.1-TO8 与 MP-PV-B-2TE-4-0.1-TO66 是基于碲镉汞异质结的两级热电制冷（2TE）红外光伏探测器，具有最优性能与稳定性。其特定工作波长为4.0um，有效感光面积为0.1mm×0.1mm。可根据需求优化起始波长。施加反向偏压可显著提升响应速度与动态范围，但需注意：虽然此举能增强高频性能，偏压探测器产生的1/f噪声可能导致低频性能下降。该探测器提供TO8与TO66两种封装规格，配备3度楔形蓝宝石窗口（wAl2O3）以消除干扰效应。

HgCdTe 室温光伏型红外探测器 2.3-4.3um

MP-PV-B-4-0.1-TO39是一款基于碲镉汞异质结的非制冷红外光伏探测器，具有优异的性能与稳定性。其特定工作波长为4.0um，有效感光面积为0.1mm ×0.1mm。起始波长可根据需求进行优化。施加反向偏压可显著提升响应速度与动态范围，但需注意：该措施在增强高频性能的同时，偏压探测器产生的1/f噪声可能导致低频性能下降。该探测器采用TO39无窗口封装形制。

HgCdTe 四级热电制冷光浸入光伏型红外探测器 2.2-3.25um

MP-PVI-B-4TE-3-1-TO8 与 MP-PVI-B-4TE-3-1-TO66 是基于HgCdTe异质结的四级热电制冷（4TE）光伏型红外探测器，旨在实现最佳性能与稳定性，并采用光学浸入技术以提升各项参数。其特定波长（λspec）为3.0 µm，光学接收面（Ao）尺寸为1 mm × 1 mm。可根据需求优化开启波长（λcut-on）。施加反向偏压（Vb）可显著提升响应速度与动态范围，虽然这有助于增强高频性能，但需注意偏压探测器产生的1/f噪声可能导致低频性能下降。该探测器提供带3°楔形蓝宝石窗口（wAl2O3）的TO8和TO66封装，以防止不必要的干涉效应。

HgCdTe 两级热电制冷光伏型红外探测器 2.2-3.25um

MP-PVI-B-2TE-3-1-TO8 与 MP-PVI-B-2TE-3-1-TO66 是基于HgCdTe异质结的两级热电制冷（2TE）光伏型红外探测器，旨在实现最佳性能与稳定性，并采用光学浸入技术以提升各项参数。其特定波长（λspec）为3.0 µm，光学接收面（Ao）尺寸为1 mm × 1 mm。可根据需求优化起始波长（λcut-on）。施加反向偏压（Vb）可显著提升响应速度与动态范围，虽然这有助于增强高频性能，但需注意偏压探测器产生的1/f噪声可能导致低频性能下降。该探测器提供带3°楔形蓝宝石窗口（wAl2O3）的TO8和TO66封装，以防止不必要的干涉效应。

HgCdTe 室温光浸入式光伏红外探测器 2.2-3.15um

MP-PVI-B-3-1-TO39是一款基于HgCdTe异质结构的非制冷光伏型红外探测器，旨在实现最佳性能与稳定性，并采用光学浸没技术以提升各项参数。其特定波长（λspec）为3.0 µm，光学接收面（Ao）尺寸为1 mm × 1 mm。可根据需求优化起始波长（λcut-on）。施加反向偏压（Vb）可显著提升响应速度与动态范围，虽然这有助于增强高频性能，但需注意偏压探测器产生的1/f噪声可能导致低频性能下降。该探测器采用无窗口TO39封装。

800-2200nm InGaAs单元探测器 2GHz

高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、 低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。

800-2200nm InGaAs单元探测器 1.5GHz

高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、 低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。

800-2200nm InGaAs单元探测器 1.2GHz

高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、 低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。

800-2200nm InGaAs单元探测器 1GHz

高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、 低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。