776.061nm DBR激光二极管

776.061 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。776.061 nm DBR 系列器件广泛应用于基于铷元素的原子光谱学应用。776.061 nm DBR 系列器件已通过光谱学认证，保证在室温 ± 10°C 范围内精准覆盖铷元素双光子跃迁频率。

770.108nm 系列DBR激光二极管

770.108 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。770.108 nm DBR 系列器件广泛应用于基于钾元素的原子光谱学应用。770.108 nm DBR 系列器件已通过光谱学认证，保证在室温 ± 10°C 范围内精准覆盖钾元素 D1 线跃迁频率。

739nm 系列DBR激光二极管

739 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模式光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。739 nm DBR 系列器件广泛应用于倍频镱原子光谱学和拉曼应用。

737nm DBR激光二极管

737 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。737 nm DBR 系列器件广泛应用于 NV 色心研究和光泵磁力测定应用。

730nm DBR激光二极管

730 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器可输出单空间模光束，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。730 nm DBR 系列器件广泛应用于生物医学和分子分析领域

852.347nm DBR激光二极管

852.347 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片集成单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器提供单横模光束输出，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。852.347 nm 系列 DBR 器件适用于铯（Cs）基原子光谱以及拉曼光谱应用。该系列产品经过光谱认证，保证在室温附近 ±10°C 范围内能够准确调谐至铯原子 D2 跃迁线。

1064nm 10GHz铌酸锂强度调制器

1064nm铌酸锂(LiNbO₃)高频强度调制器采用质子交换工艺制作Mach-Zehnder型光波导，输入/输出光纤与波导精密斜耦合，利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的强度调制。

SIP-TO39系列跨阻放大器

SIP-TO39 系列是一类小型跨阻前置放大器，支持交流或直流耦合。其设计适用于带偏置或无偏置的红外探测器，专为集成 TO39 封装的非制冷探测器而优化。SIP-TO39 无需外部散热器。部分型号（频率带宽最高 100 MHz 的版本）支持增益调节功能。

SIP-TO8系列跨阻放大器

SIP-TO8 系列是一款小尺寸跨阻放大器，支持交流或直流耦合。其设计既兼容带偏置的红外探测器，也适用于无偏置探测器，专为集成 TO8 封装的热电制冷红外探测器而打造。SIP-TO8 需要外接散热器（MHS-2）。对于频率带宽高达 100 MHz 的设备，可进行增益调节。

PIP系列跨阻放大器

PIP系列是一款可编程跨阻放大器。凭借其先进的内部配置，该系列产品在提供卓越信号参数和高可靠性的同时，兼具极高的使用灵活性。内置的电压监测器使用户能够查看并优化工作条件（如供电电压、探测器偏置电压、第一级和最后一级的输出电压偏置等）。

MIP系列跨阻放大器

MIP 系列是一款中等尺寸的跨阻放大器，支持直流或交流耦合。其设计既兼容带偏置的红外探测器，也适用于无偏置探测器。该放大器内置风扇，无需任何外部附加散热器。它是最用户友好的放大器之一，能够有效简化工作流程。

FIP系列跨阻放大器

FIP 系列是一款高速跨阻交流耦合放大器，专为配合带偏置的热电制冷红外探测器使用而设计。其能够实现精确的电流-电压转换，并为探测器提供最高 -800 mV 的偏置电压，同时保持紧凑的尺寸和低电流噪声。FIP 放大器内置风扇，无需任何额外的散热措施。它非常适用于需要宽频率带宽的应用场景。可选配额外的直流输出功能。