794.7nm单模VCSEL发射激光器

PL-VCSEL-0795-1-A81-TO46 型 794.7 纳米垂直腔面发射激光器是一款垂直出光的、通过金属有机气相外延（MOVPE）方法生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。其芯片采用 TO5 封装。可通过调节激光电流和温度来实现波长调谐。该激光器内置半导体制冷器（TEC）和光电探测器（PD），是专为可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）应用而特别设计的。凭借窄线宽特性以及搭配半导体制冷器所实现的宽调谐范围，它成为铷原子光谱 D1 跃迁研究中一款性价比颇高的选择。

1550nm镀铝抗辐射单模光纤

抗辐射光纤旨在减轻辐射诱导衰减（RIA）的影响，并延长光纤在辐射环境中的使用寿命。凭借十年来在研发 领域的投入及科研合作积累，本公司提供单模和多模抗辐射光纤，适用于高辐射水平和/ 或极端温度的恶劣环 境。 铝涂层光纤具有宽泛的工作温度范围，从低温环境到 + 400°C 均可稳定运行。同时，这类光纤具备氢密封性， 能在富氢环境中减轻氢致暗化现象。

760nm 单模VCSEL激光器

PL-VCSEL-1-A81 型 760nm 垂直腔面发射激光器是一款采用金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。芯片采用 TO39 金属管壳封装，可通过调节激光电流和温度实现波长调谐，封装内部集成了热电制冷器（TEC）和光电探测器（PD）。

900 - 1100nm镀铝抗辐射单模光纤

抗辐射光纤旨在减轻辐射诱导衰减（RIA）的影响，并延长光纤在辐射环境中的使用寿命。凭借十年来在研发 领域的投入及科研合作积累，本公司提供单模和多模抗辐射光纤，适用于高辐射水平和/ 或极端温度的恶劣环 境。 铝涂层光纤具有宽泛的工作温度范围，从低温环境到 + 400°C 均可稳定运行。同时，这类光纤具备氢密封性， 能在富氢环境中减轻氢致暗化现象。

400-1000nm硅雪崩光电探测器（ф1.0mm）0.1MHz

筱晓光子提供硅雪崩探测器，感光范围覆盖200nm~1000nm，常用于可见光与近红外光测量。性价比高，全方位技术支持。

200-1000nm硅雪崩光电探测器（ф1.0mm）0.1MHz

筱晓光子提供硅雪崩探测器，感光范围覆盖200nm~1000nm，常用于可见光与近红外光测量。性价比高，全方位技术支持。

可见光 - 红外镀铝抗辐射单模光纤

抗辐射光纤旨在减轻辐射诱导衰减（RIA）的影响，并延长其在辐射环境中的使用寿命。凭借十年的研发投入与科 研合作积累，本公司提供单模和多模抗辐射光纤，适用于高辐射水平和 / 或极端温度的恶劣环境。 铝涂层光纤具有宽泛的工作温度范围，从深低温环境到 + 400°C 均可适用，且具备氢密封性，能在富氢环境中减轻氢致暗化现象。 阶跃折射率多模光纤可根据工作波长范围，提供低羟基、中羟基和高羟基含量的产品。其他类型的涂层和几何结构可根据需求定制。

520nm FP 单模光纤耦合激光二极管 SA

PL-FP-520-A-A81-SA 是一款专为光学测量和通信设计的单模激光二极管模块。该激光器采用 14 引脚标准蝶形封装，内置监控光电二极管和热电制冷器（TEC），并与 Nufern HP460 光纤耦合。此模块尾纤为 0.7-1.0 米的单模保偏光纤，接口采用 FC/APC 连接器。

1064nm高功率宽带光纤隔离器

光纤隔离器主要利用磁光晶体的法拉第效应来隔离反射光，只允许光以单一方向传输的无源磁光器件。光纤隔离器用于防止光源受到由背向反射或信号产生的不良影响；背向反射可能损坏激光器或者使之产生跳模、振幅变化或频移。在高功率应用中，背向反射还能引起不稳定性和功率尖峰。 筱晓光子生产的隔离器具有高隔离度、低插入损耗、高承受功率，可以根据用户需要定制不同波长、功率、光纤的隔离器，产品广泛应用于光纤激光器、光纤放大器、激光通信、光纤传感、科学科研等领域。

488nm FP 激光二极管

PL-FP-488-A-A81-SA 是一款单模激光二极管模块，专为光学测量和通信设计。该激光器采用 14 针标准蝶形封装，内置监控光电二极管和热电制冷器（TEC），并与Nufern HP 460光纤耦合。此模块尾纤为 0.7-1.0 米的单模保偏光纤，接口为 FC/APC 连接器。

400-1000nm硅雪崩光电探测器（ф0.5mm）400MHz

筱晓光子提供硅雪崩探测器，感光范围覆盖200nm~1000nm，常用于可见光与近红外光测量。性价比高，全方位技术支持。

200-1000nm硅雪崩光电探测器（ф0.2mm）400MHz

筱晓光子提供硅雪崩探测器，感光范围覆盖200nm~1000nm，常用于可见光与近红外光测量。性价比高，全方位技术支持。