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Glacier TL1 配备了一台 Glacier 可调谐激光源，适用于多种应用，如相干发射器或本地振荡器。它具有安装简...
产品特点：超紧凑型台式模块，配备 USB 接口，可通过提供的 GUI 或远程控制进行操作；在指定范围内，可调谐至任意频率/波长；整个调谐范围内的光功率可达 17 dBm（50 mW）；支持单个主机同时操作多个 DX1 设备
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硒化铅(PbSe)单通道红外探测器在1至5um光谱范围内进行物质分析时，能提供性能与特性的最佳平衡。其高灵敏度、快速响应...
产品特点：在1-5微米波段具有快速高灵敏度；为宽动态范围测量提供高信噪比性能；为中红外应用提供最快响应速度；高可靠性，使用寿命长；在1-5微米光谱范围内具备最佳综合性能
工作波长：900~1650nm 功率测量范围：-20~+40dBm 测量分辨率：0.001dB
台式多通道激光功率计支持1~4通道灵活配置，满足多光路同时测量需求。功率测量范围覆盖10µW-10W，波长适配900-1...
产品特点：功率测量高动态范围；高精度分辨率；多通道
中心波长：2720 ± 10 nm
专为工业级高效率冷加工需求设计的革命性激光光源。本产品融合了高峰值功率超快激光技术与优化的中红外波长输出，在保持超快激光...
产品特点：匹配水分子振动拉伸吸收峰；脉冲宽度优化，可实现组织改性，同时减少周围组织损伤；高脉冲能量与高峰值功率；紧凑型一体化设计；配备可见引导激光；即开即用，支持全天候 24/7 操作；易于系统集成
四通道高速数据采集卡(250MSps 14bits)|信号处理
输入通道数：4 机械尺寸：181mm(L) x 111mm(W)x20mm(D)
这是一款 PCIe x8 Lane、四通道、14bits 分别率的高速数据采集卡，采样率 250MSps。板载高性能FP...
产品特点：高采样率；高分辨率；四通道同步采样；高速数据传输接口
中心波长：2720 ± 10 nm (可提供多种发射波长，具体波长请咨询)
一款颠覆传统认知的高性价比工业加工解决方案。本产品通过独特的脉冲整形与波长优化技术，在纳秒脉冲宽度下实现了接近超快激光的...
产品特点：匹配水分子振动拉伸吸收峰；脉冲宽度优化，可实现组织改性，同时减少周围组织损伤；紧凑型一体化设计；配备可见引导激光；即开即用，支持全天候 24/7 操作；易于系统集成
50-100um Bottom illuminated Monitor PD Chip φ50um
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InGaAs PIN 监控光探测器芯片...
产品特点：底照式； 50um有效面积； 高响应度； 平面结构
波长范围：1000 nm – 1600 nm/1000 nm – 1350 nm
基于 InGaAs 的 SPAD 和 NFAD 模块，用于 量子密钥分发 (QKD) 及 传感应用 基于 InGaAs...
产品特点：光纤耦合的 SPAD 或 NFAD；SWIR 波段范围（短波红外）；集成温控 TEC；可探测离散变量量子密钥（DV-QKD）；配备用于测试与测量的评估板；可根据需求提供定制化解决方案
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基于 HHI PolyBoard 混合集成平台的量子技术用光子对源。 PolyBoard 晶圆技术结合了混合集成与微光...
产品特点：基于混合集成的光纤耦合非线性晶体；采用非线性晶体的自发参量下转换（SPDC）；光子集成电路（PIC）上的偏振控制；温度稳定控制
波长：1480 nm - 1620 nm
用于 超过 1 Tb/s 相干电信应用 的 高速平衡光电探测器模块 高速平衡光电探测器模块在下一代电信相干光通信链路的...
产品特点：高达 100 GHz 的 3 dB 带宽；结合光学 90° 混合器可探测 128 Gbaud x-QAM 信号；集成偏置电路；低偏置操作；1 mm 射频连接器
50-100um Bottom illuminated Monitor PD Chip φ100um
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InGaAs PIN 监控光探测器芯片...
产品特点：底照式；100um 有效面积；高响应度；平面结构
2200nm InGaAs/InP PIN PD Chip/TO
无：无
InGaAs 传感用长波光探测器芯片及器件...
产品特点：高响应度@2100nm；截止波长：2200nm；低暗电流；顶照式平面结构
2600nm InGaAs/InP PIN PD Chip/TO
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InGaAs 传感用长波光探测器芯片及器件...
产品特点：高响应度@2300nm；截止波长：2600nm；低暗电流；顶照式平面结构
1653nm InGaAs/InP PIN PD Chip/TO
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InGaAs 传感用长波光探测器芯片及器件...
产品特点：高响应度@1653nm；截止波长：1740nm；低暗电流；顶照式平面结构
850-910nm 56Gbaud PD Chip φ32um
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850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片...
产品特点：数据速率高达 100Gbps/channel；响应范围：850nm-910nm；850nm 高响应度；GSG 电极结构
850nm 25Gbps GaAs PD Chip φ40um
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850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片...
产品特点：数据速率高达 25Gbps/通道；φ40um 有效面积；850nm 高响应度；正面阳极/阴极焊盘
850nm 28Gbaud GaAs PD Chip φ38um
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850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片...
产品特点：带宽高达 28GHz/通道；φ38um 有效面积；850nm 高响应度；正面阳极/阴极焊盘
光纤跳线长度：~1.5m FBG长度：< 1.2m
DCM-PC 产品将连续调制的光纤布拉格光栅（FBG）色散补偿能力与普通补丁电缆的简便性相结合。此色散补偿模块（DCM）...
产品特点：宽范围可调色散补偿；低插入损耗（IL）与高稳定性；快速动态调节；智能温控与长期稳定性
850nm 2.5Gbps GaAs PIN PD Chip φ75um
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850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片...
产品特点：数据速率高达 2.5Gbps；φ75um 有效面积；850nm 高响应度；顶照式平面结构
850nm 10Gbps GaAs PD Chip φ60um
无：无
850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片...
产品特点：数据速率高达 10-40Gbps；φ60um 有效面积；850nm 高响应度；正面阳极/阴极焊盘
850-910nm 56Gbaud 1x4 Array PD Chip φ32um
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850nm GaAs PIN 高速光探测器阵列芯片...
产品特点：数据速率高达 100Gbps/channel；响应范围：850nm-910nm；850nm 高响应度；GSG 电极结构
850nm 28Gbaud GaAs 1x4 Array PD Chip φ38um
无：无
850nm GaAs PIN 高速光探测器阵列芯片...
产品特点：带宽高达 28GHz/通道；φ38um 有效面积；850nm 高响应度；正面阳极/阴极焊盘
850nm 10Gbps GaAs 1x4 Array PD Chip φ60um
无：无
850nm GaAs PIN 高速光探测器阵列芯片...
产品特点：数据速率高达 10-40Gbps；φ60um 有效面积；850nm 高响应度；正面阳极/阴极焊盘
透过率：>95% 接头类型：FC/APC
五维光纤准直/耦合镜 在接头和光纤保持不动时，内置的透镜具有五个对准自由度：X和Y方向的线性对准、俯仰和偏转角度对准、同...
产品特点：五维精密调节能力；低插入损耗与高耦合效率；宽波长与高功率兼容性；紧凑稳定结构；灵活适配多种光纤与光路
850nm 25Gbps GaAs 1x4 Array PD Chip φ40um
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850nm GaAs PIN 高速光探测器阵列芯片...
产品特点：数据速率高达 25Gbps/通道；φ40um 有效面积；850nm 高响应度；正面阳极/阴极焊盘
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导光柱用于将多路光信号从光源传输到光纤阵列，而微透镜阵列（例如硅或熔融石英透镜阵列）可以进一步聚焦或分束光束，提高耦合效...
产品特点：高技术壁垒；高精度；高可靠性
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