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平顶光束整形器(193nm-10.6um 86%-98%)|激光加工
无：无
作为一个衍射光学元件（DOE），光束整形器可以在特定的工作平面上，将高斯激光束整形成为具有锐边的二维光强分布。 DOE...
产品特点：很好的均匀度；高效率；锐利的光束边缘；高功率阈值；可选的增透涂层；任何输出光束轮廓；从紫外到红外的波长
超宽谱激光光源(1100~2400nm 100/200/500/700mW)
波长范围：1100~2400nm 工作温度范围：-5~+35°C 封装形式：台式 (B3)
超宽谱激光光源是前沿光学创新产品，可实现覆盖1.0~2.4μm波长的近红外光输出，输出方式为单模光纤或保偏光纤。与传统宽...
产品特点：超宽光谱；高平坦度；高功率
均质器/扩散器(193nm-10.6um 75%-98%)|激光加工
无：无
光学均质器/扩散器（DF/HM）衍射光学元件允许将单模或多模输入光束转换成明确定义的输出光束，即具有想要的任意形状以及均...
产品特点：适用于单模或多模输入光束；玻璃或塑料材料；低集中度要求；任何输出形状或对称特征；均匀/定制的强度曲线
无：无
BD（宽带扩散器）是特殊的平顶光束整形微折射扩散器，专用于宽带大功率激光的应用。这些系统包括在同一光路（RGB模块）中使...
产品特点：从远红外到深紫外的宽波长光谱性能相同；高效率；无零阶
超宽谱激光光源(600-2400nm 100/200/400mW)
波长范围：600~2400nm 工作温度范围：-5~+35°C 封装形式：台式 (B3)
超宽谱激光光源是前沿光学创新产品，可实现覆盖0.6~2.4μm波长的近红外光输出，输出方式为单模光纤或保偏光纤。与传统宽...
产品特点：超宽光谱；高平坦度；高功率
微透镜阵列(193-3300nm 间距10-3000um)|激光加工
无：无
微透镜阵列（MLA）包含多个正方形微透镜或六边形排列的微透镜。这种阵列通常应用于光束均匀化整形，与光纤耦合。我们的微透镜...
产品特点：玻璃或熔融石英材料的聚合物；与高效率激光系统相兼容；包装比接近100%；AR涂层
衍射轴锥镜(193nm-10.6um 75%-96%)|原子阱
无：无
衍射轴锥镜将激光束转化成环状光斑（强度遵从贝塞尔分布），还可聚焦成环并具有扩展的焦深。环的宽度等于（输入激光束）衍射极限...
产品特点：高功率阈值；尺寸紧凑；角度可选；负正轴心；波段从紫外到红外；可选的增透涂层
无：无
螺旋相位板将高斯输入轮廓转换为中心能量为零的中空环状能量环。螺旋相位板是一种独特的光学器件，其结构完全由螺旋或螺旋相位阶...
产品特点：高功率阈值 ； 高效率；低背向反射；从紫外到红外的波长；可选的增透涂层；任何拓扑电荷
环-光斑光束整形光学模块(环角0.6-8mRad)|激光焊接
无：无
随着近年来价格实惠的高功率NIR光纤激光器的可用性日益增加，功率实际上已不再是激光焊接工艺速度的限制因素。取而代之的是，...
产品特点：产生中空（环形）光斑 ；高能量利用率；优异的光斑均匀性；无焦深内径尺寸稳定
无：无
具备深层穿透能力且高灵敏度的体内成像显微镜...
产品特点：广角采集功能，可在散射样本深处实现更高的信噪比；模块化选项，支持光遗传学、高速扫描及荧光寿命升级；实时应用界面，便于访问数据并配置自动化反馈实验
无：无
光束匀束器利用长时间的散射作用使准直的入射光束转换成一个特定形状的均匀强度分布的光束。对于任何的输入波长，都可以实现想要...
产品特点：单模/多模激光均可；良好的的光斑均匀度；锐利的边界；可实现任意光斑形状
光束采样器(193nm-10.6um 单模/多模)|光束采样
无：无
光束采样器DOE用于监视高功率激光器。激光束采样器允许高功率光束（零级）沿光轴不受干扰地传播，但会产生两个能量较低的侧光...
产品特点：适用于单模或多模输入光束；高功率阈值；输入光束形状的精确复制；自定义采样率和分离角度；从紫外到红外的波长；对XYZ位移和光束大小不敏感
衍射分束器(193nm-10.6um 一维/二维)|激光刻线
无：无
光束分束器是衍射光学元件（DOE），用于将单个激光束分成几个光束，每个光束均具有原始光束的特征。...
产品特点：单模/多模激光器适用；高能量阈值；玻璃或塑料材料；精确的分离角度；XYZ轴不敏感；可定制分离角和形状；任意输入形状；波长从红外到紫外 ；可选择增透膜
单色仪(200 nm-24 µm 切尔尼-特纳结构)|光谱测量
无：无
采用切尔尼-特纳 (Czerny-Turner) 结构的单色仪可在输入白光中选择单色部分。...
产品特点：高精度与稳定性；全波段覆盖；自动化与灵活性；扩展性
无：无
光电化学 (PEC) 测量站可应用多种测量技术：计时电流法、伏安法、循环伏安法以及光强度调制光电流/光电压法。这些技术能...
产品特点：微型光电光谱仪；微型化与便携性；高灵敏度与多波段覆盖；快速响应与数据调节
通道数量：1~16（可选） 频率微调范围：±6GHz 尺寸：480mmx380mmx130mm
一款提供1至16通道并可以自行选择通道数量的可调谐光源，每个通道的参数可单独设置，也可以根据客户需求对光源进行选择，配备...
产品特点：C或L波段内全波段可调；线宽小于100KHz，最大功率可达15dBm
CCD可见光光谱仪(340-800nm 像素数3600)|材料分析
波长范围：340-800nm
Instytut Fotonowy的CCD光谱仪是一款通用、紧凑、便携的仪器，专用于测量340至800纳米范围内的可见光...
产品特点：高灵敏度与低噪声；全波段均衡响应；高精度光谱分析；便携与高速性能
无：无
Instytut Fotonowy的荧光分光光度计旨在探究暗淡样品的荧光衰减。由于荧光现象的典型时间尺度跨越10^-8秒...
产品特点：很高的灵敏度与单光子探测能力；优秀的时间分辨率；宽动态范围；高信噪比；直接记录荧光衰减曲线
皮秒激光器(405nm 60mW 脉宽150-200ps)|材料加工
无：无
用于输出短脉冲单色光的半导体激光器。专用于电化学样品检测。结构紧凑，易于在样品室入口处或任何光学装置中稳定安装。...
产品特点：高精度切割；高效能表现；适用范围广
回波损耗：≥ 45dB 使用温度：-40 ~ +70℃
多芯光纤扇入扇出器件是实现多芯光纤与标准光纤高效耦合的关键器件。本产品采用具有自主知识产权的特殊技术制备及模块化封装，具...
产品特点：低插入损耗、低芯间串扰、高回波损耗；通道一致性好、可靠性高、环境适应性好；支持多种封装形式、接口使用方便；支持低损耗、小芯间距等订制化服务
工作波长：C band或定制 插损：<3.0 封装尺寸：100mm x 80mm x 9mm或定制
我们的模式复用解复用器、模式转换器系列产品采用独特工艺设计制备，具有低损耗、低串扰、工作波长范围大等优点，与本公司研制的...
产品特点：低插入损耗；低模式损耗；低模间串扰；工作波长范围大
芯数：4×2 或 4×8 插入损耗：≤0.5dB 串扰：≤-50dB
多芯MT-FA 光组件是实现模块内光芯片与模块外多 芯光纤高效耦合的关键器件。本产品采用具有自主 知识产权的特殊技术制备...
产品特点：低插入损耗，低芯间串扰；通道一致性好，可靠性高；支持多种封装形式；支持订制
保偏光子晶体光纤连接器(1550nm 插损≤0.6dB)|光纤陀螺
工作波长：1550nm 插入损耗：≤0.6dB 消光比：≥20dB
本产品采用具有自主知识产权的特殊技术制备及模块化封装。可提供标准规格产品及特殊订制化服务。保偏光子晶体光纤可应用于光纤陀...
产品特点：良好的抗辐照性能；拍长可调，双折射效应高，良好的温度性能；支持多种封装形式，接口使用方便；支持订制
10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um
无：无
InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片...
产品特点：数据速率高达 10Gbps/channel；φ50um 有效面积；高响应度；正面正极/负极焊盘
25Gbps InGaAs 1×4 Array PD Chip φ20um (250um Pitch)
无：无
InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片...
产品特点：数据速率高达25Gbps/通道；φ20um有效面积；高响应度；GSG电极结构
25Gbps InGaAs 1×4 Array PD Chip φ20um (750um Pitch)
无：无
InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片...
产品特点：数据速率高达25Gbps/通道；φ20um有效面积；高响应度；GSG电极结构
25Gbps InGaAs 1x4 Array PD Chip φ32um
无：无
InGaAs 高速光探测器阵列芯片...
产品特点：数据速率高达25Gbps；φ32um有效面积；高响应度；GSG电极结构
28Gbaud InGaAs PIN PD 1x4 Array Chip φ18um
无：无
InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片...
产品特点：数据速率高达50Gbps/通道；φ18um有效面积；高响应度；GSG电极结构
56Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ16um (500um Pitch)
无：无
InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片...
产品特点：数据速率高达100-400Gbps；φ16um有效面积；高响应度；GSG电极结构
56Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ16um (750um Pitch)
无：无
InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片...
产品特点：数据速率高达100-400Gbps；φ16um有效面积；高响应度；GSG电极结构
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