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  • 100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片...

    产品特点：数据速率高达 200-800Gbps；底部发光平面结构；GSG 电极结构

  • 强度调制光电流和光电压光谱系统|材料分析

    无：无

    强度调制光电流和光电压光谱系统可以进行与静态光电压/光电流测量互补的样品检测。单色LED具有调制正弦波形的光强度，可在宽...

    产品特点：测量参数全面；高精度时间分辨测量；多光源与宽频段支持

  • 48-FPC-2-3_n-xxx 光纤端口集群 2 → x

    无：无

    中光纤端口集群是紧凑的光机械单元，用于将两个波长相同的光纤耦合源合并，并将合成的辐射高效地分配到多个输出光纤电缆中，且分...

    产品特点：双输入源同波长合并；2→3可调分配比；偏振保持光纤耦合；高稳定性与重复性；紧凑密封光机械单元

  • 扫描开尔文探针(分辨率20um)|材料表面分析

    无：无

    扫描开尔文探头可以测量 CPD（接触电位差）值，评估半导体和导电材料的功函数。测量不仅可以在样品表面的单点进行，还可以对...

    产品特点：高精度与分辨率；快速响应与多功能性；应用广泛性

  • 瞬态吸收光谱仪(脉冲持续时间5ns)|材料分析

    无：无

    瞬态吸收光谱仪，也称为闪光光解光谱仪，专用于测量光激发样品中量子态之间的跃迁。瞬态吸收光谱仪测量适用于液体和固体样品。 ...

    产品特点：时间分辨率高；光谱覆盖广；功能模块化

  • 氙气短弧灯(150W 最大电流8.5A)|材料测试

    无：无

    氙灯是研究领域广泛使用的光源。氙灯通常与椭圆形反射器或抛物面反射器一起使用，椭圆形反射器可将白光束从灯的输出窗口形成单焦...

    产品特点：高亮度与稳定性；连续光谱特性；高效能低热量

  • 中波制冷电动调焦镜头(50mm/2.0)|工业研发

    焦距：50 调焦方式：电动可调 外形尺寸：Φ73×53.6

    一个集成了用于中波红外波段（3-5μm）的50毫米焦距、F2.0大光圈光学镜头，并专门匹配制冷型红外探测器的成像系统。其...

    产品特点：高性能；中远距离观测；高灵敏度；自动化与集成

  • 600-05-2mm-SMA905 深紫外氢饱和光纤束

    工作波段：200-1200nm 纤芯直径：600um

    ...

    产品特点：深紫外波段；氢饱和处理；2mm有效纤芯；SMA905接口；低OH含量石英光纤

  • 635nm激光二极管(TO56 最大电流150mA)|生物医学

    管座：TO5,6 最大电流：130mA

    用于635nm波长的脊形波导激光二极管...

    产品特点：高可见度红光；低工作电流；优异的光束质量；紧凑型封装；高可靠性

  • 双通道高速采集光纤传感解调卡(100MSps 14bits)|工业测控

    输入通道数：2 输入阻抗：50±1%Ω

    这是一款 PCIe x8 Lane、双通道、14bits 分别率的光纤传感解调卡，采样率 100MSps。板载 XC7...

    产品特点：高采样率；高分辨率；双通道同步采集

  • 2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：数据速率高达 2.5Gbps；φ50um 有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 2.5Gbps InGaAs APD Chip φ50um

    无：无

    InGaAs 雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：数据速率高达 2.5Gbps；φ50um 有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 10Gbps InGaAs APD Chip for OLT φ32um

    无：无

    InGaAs 雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：数据速率高达10Gbps；φ32um有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 10Gbps InGaAs APD Chip φ40um

    无：无

    InGaAs 雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：数据速率高达 10Gbps；φ40um 有效面积； 低 VBR 温度系数；高响应度顶照式平面结构

  • 25Gbps InGaAs APD Chip φ16um

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：数据速率高达 25Gbps；φ16um 有效面积；低 VBR 温度系数；高响应度；顶照式平面结构

  • 50Gbps56Gbaud APD Chip

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：带宽高达 30GHz；底照式平面结构；低 VBR 温度系数；高响应度

  • 200um InGaAs APD Chip φ200um

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：φ200um有效面积；高增益>30 @Vbr-1V；高响应度；顶照式平面结构

  • 500um InGaAs APD Chip φ500um

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：φ500um有效面积；高增益>30 @Vbr-1V；高响应度；顶照式平面结构

  • High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：高增益，高达 50；φ30um 有效面积；低暗电流；顶照式平面结构

  • 10Gbps InGaAs PIN PD Chip φ50um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：φ50um 有效面积；高响应度；正面正极/负极焊盘

  • 15Gbps GSG InGaAs PIN PD Chip φ45um

    无：无

    InGaAs GSG PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：带宽高达 15GHz；φ45um 有效面积；高响应度 ；GSG 焊盘结构

  • 25Gbps InGaAs PD Chip φ20um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：φ20um有效面积；高响应度；GSG电极结构

  • 25Gbps InGaAs PD Chip φ32um

    无：无

    InGaAs 高速光探测器芯片...

    产品特点：数据速率高达 25GHz；φ32um 有效面积；高响应度；GSG 电极结构

  • 28Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ18um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：φ18um有效面积；高响应度；GSG电极结构

  • 56Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ16um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：数据速率高达100-400Gbps；φ16um有效面积；高响应度；GSG电极结构

  • 100Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ10um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：数据速率高达 200-800Gbps；底部发光平面结构；GSG 电极结构

  • 1.25-2.5Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ55um

    无：无

    InGaAs 模拟PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：高线性度；φ55um有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 硬质包层红外光纤

    无：无

    硬质包层红外光纤用生物兼容性材料制作，经环氧乙炔、电子束、伽玛辐射杀菌，具有优良的抗化学性和耐磨性和抗辐射，用于光纤束和...

    产品特点：高耐久性；宽波段透射；高功率承载能力

  • 1.25-2.5Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ70um

    无：无

    InGaAs 模拟PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：高线性度；φ70um有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 硬质包层紫外光纤

    无：无

    硬质包层紫外光纤采用纯熔融石英纤芯和聚合物包层结构，提供0.37-0.48大数值孔径，确保高效光耦合与传输。该光纤覆盖3...

    产品特点：高功率紫外激光传输；耐高温、抗化学腐蚀；深紫外兼容性

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