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共有5611个相关产品。

  • 600-05-2mm-SMA905 深紫外氢饱和光纤束

    工作波段：200-1200nm 纤芯直径：600um

    ...

    产品特点：深紫外波段；氢饱和处理；2mm有效纤芯；SMA905接口；低OH含量石英光纤

  • 635nm激光二极管(TO56 最大电流150mA)|生物医学

    管座：TO5,6 最大电流：130mA

    用于635nm波长的脊形波导激光二极管...

    产品特点：高可见度红光；低工作电流；优异的光束质量；紧凑型封装；高可靠性

  • 双通道高速采集光纤传感解调卡(100MSps 14bits)|工业测控

    输入通道数：2 输入阻抗：50±1%Ω

    这是一款 PCIe x8 Lane、双通道、14bits 分别率的光纤传感解调卡，采样率 100MSps。板载 XC7...

    产品特点：高采样率；高分辨率；双通道同步采集

  • 2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：数据速率高达 2.5Gbps；φ50um 有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 2.5Gbps InGaAs APD Chip φ50um

    无：无

    InGaAs 雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：数据速率高达 2.5Gbps；φ50um 有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 10Gbps InGaAs APD Chip for OLT φ32um

    无：无

    InGaAs 雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：数据速率高达10Gbps；φ32um有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 10Gbps InGaAs APD Chip φ40um

    无：无

    InGaAs 雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：数据速率高达 10Gbps；φ40um 有效面积； 低 VBR 温度系数；高响应度顶照式平面结构

  • 25Gbps InGaAs APD Chip φ16um

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：数据速率高达 25Gbps；φ16um 有效面积；低 VBR 温度系数；高响应度；顶照式平面结构

  • 50Gbps56Gbaud APD Chip

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：带宽高达 30GHz；底照式平面结构；低 VBR 温度系数；高响应度

  • 200um InGaAs APD Chip φ200um

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：φ200um有效面积；高增益>30 @Vbr-1V；高响应度；顶照式平面结构

  • 500um InGaAs APD Chip φ500um

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：φ500um有效面积；高增益>30 @Vbr-1V；高响应度；顶照式平面结构

  • High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um

    无：无

    InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片...

    产品特点：高增益，高达 50；φ30um 有效面积；低暗电流；顶照式平面结构

  • 10Gbps InGaAs PIN PD Chip φ50um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：φ50um 有效面积；高响应度；正面正极/负极焊盘

  • 15Gbps GSG InGaAs PIN PD Chip φ45um

    无：无

    InGaAs GSG PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：带宽高达 15GHz；φ45um 有效面积；高响应度 ；GSG 焊盘结构

  • 25Gbps InGaAs PD Chip φ20um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：φ20um有效面积；高响应度；GSG电极结构

  • 25Gbps InGaAs PD Chip φ32um

    无：无

    InGaAs 高速光探测器芯片...

    产品特点：数据速率高达 25GHz；φ32um 有效面积；高响应度；GSG 电极结构

  • 28Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ18um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：φ18um有效面积；高响应度；GSG电极结构

  • 56Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ16um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：数据速率高达100-400Gbps；φ16um有效面积；高响应度；GSG电极结构

  • 100Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ10um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：数据速率高达 200-800Gbps；底部发光平面结构；GSG 电极结构

  • 1.25-2.5Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ55um

    无：无

    InGaAs 模拟PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：高线性度；φ55um有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 硬质包层红外光纤

    无：无

    硬质包层红外光纤用生物兼容性材料制作，经环氧乙炔、电子束、伽玛辐射杀菌，具有优良的抗化学性和耐磨性和抗辐射，用于光纤束和...

    产品特点：高耐久性；宽波段透射；高功率承载能力

  • 1.25-2.5Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ70um

    无：无

    InGaAs 模拟PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：高线性度；φ70um有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 硬质包层紫外光纤

    无：无

    硬质包层紫外光纤采用纯熔融石英纤芯和聚合物包层结构，提供0.37-0.48大数值孔径，确保高效光耦合与传输。该光纤覆盖3...

    产品特点：高功率紫外激光传输；耐高温、抗化学腐蚀；深紫外兼容性

  • 15Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ45um

    无：无

    InGaAs 模拟PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：高线性度；φ45um有效面积；高响应度

  • 20Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ18um

    无：无

    InGaAs 模拟PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：高线性度；φ18um有效面积；高响应度；数据速率高达25-50Gbps

  • 36Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ16um

    无：无

    InGaAs 模拟PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：高线性度；φ16um有效面积；高响应度；数据速率高达25-50Gbps

  • InGaAs Tap-PD Chip For EDFA φ80um

    无：无

    用于EDFA的InGaAs Tap-PD芯片...

    产品特点：高线性度；φ80um有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 1.25-2.5 Gbps InGaAs PIN PD Chip φ55um

    无：无

    InGaAs PIN高速光探测器芯片...

    产品特点：数据速率高达2.5Gbps；φ55um有效面积；高响应度；顶照式平面结构

  • 高功率光可变衰减器(1550nm 10W 电动)|激光系统

    型号：MP-OAT-100-HP-1550-10-E

    波长：1550nm 可承受功率：10W 类型：电动

    衰减的调整由步进电机控制。该装置通过USB连接与计算机操作，并提供专门的用户界面。...

    产品特点：高功率耐受；精密衰减控制；低插入损耗；宽波长适配；紧凑设计

  • Arb Rider AWG-4000 任意波形发生器

    型号：MP-ESG-AWG-4014

    模拟通道：4 最大频率：300 MHZ

    2、4 和 8 通道任意波形发生器 ARB Rider AWG-4000 系列是 Active Technologie...

    产品特点：多通道输出；高采样率；宽输出范围；混合信号生成；四合一功能

  • 精品现货
  • 非标定制
  • 质量保证
  • 产品研发
  • 顺丰速运