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795nmVCSEL发射激光器
PL-VCSEL-795-1-1-SA-14BF 是一款垂直发射的单模二极管激光器,采用 MOVPE(金属有机气相外延)技术生长,以 GaAsP/AlGaAs(砷化镓磷 / 铝镓砷)为材料。该芯片采用 14 引脚蝶形封装,内置 TEC(热电制冷器)和 PD(光电探测器)。通过调节激光电流和温度可实现波长调谐。 我们的 850nm 单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)专为高速、高性能通信应用而设计。
1403nm MEMS VCSEL激光二极管
垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL)是一种以砷化镓半导体材料为基础研制的半导体激光器,其激光垂直于顶面发射,与发光二极管(LED)和激光二极管(LD)存在本质区别;它由反射镜面、有源层及金属接触层构成,其中两个发射镜分别为 P 型和 N 型布拉格反射器(DBR),有源区由量子阱组成,在 P 型 DBR 的外表面制备金属接触层以形成欧姆接触,并在 P 型 DBR 上开设圆形出光口用于激光输出;该激光器具有远场发散角小、光束窄且呈圆形,阈值电流低、调制频率高(可达 300kHz),以及通过改变激光电流和温度可实现波长调谐等特性,其封装内部集成了热电制冷器(TEC)和光电探测器(PD),专为高速光纤应用场景设计。
2327nm DFB 激光二极管 适用于一氧化碳检测
筱晓光子生产的 PL-DFB-2327-A-A81-SA 型 2327nm 分布反馈(DFB)激光二极管模块,是一款兼具成本效益与高相干性的激光光源。该 DFB 激光二极管芯片采用行业标准的 14 引脚蝶形封装,封装内部集成了热电制冷器(TEC)和光电探测器(PD),并具备气密性密封特性。
1910nm DFB 可调谐激光二极管
筱晓光子生产的 PL-DFB-1910-A-A81-SA 型 1910nm 分布反馈(DFB)激光二极管模块,是一款兼具成本效益与高相干性的激光光源。该 DFB 激光二极管芯片采用行业标准的 14 引脚蝶形封装,具备密封特性,且内置热电制冷器(TEC)和光电二极管(PD)。
1850nm分布反馈激光二极管,用作种子激光器
PL-DFB-1850-A-A81 1850nm 分布反馈(DFB)激光二极管模块,是一款兼具成本效益与高相干性的激光光源。该 DFB 激光二极管芯片采用行业标准的 14 引脚蝶形封装,封装内部集成了半导体制冷器(TEC)和光电探测器(PD),并具备气密性密封特性。
1742nm DFB 激光二极管用于 HCl Gas监测
1742nmDFB激光二极管模块是一款具有高性价比的高相干激光光源。 该 DFB 激光芯片封装在行业标准的密封式 14 针蝴蝶封装中,内部集成有 TEC(热电制冷器)和 PD(光探测器)。
1962nm DFB 可调谐激光二极管 用于溴化氢(HBr)传感
PL-DFB-1962-A-A81-SA 型 1962nm 分布反馈(DFB)激光二极管模块由筱晓光子制造,是一款兼具成本效益与高相干性的激光光源。该 DFB 激光二极管芯片采用业界标准的 14 引脚蝶形封装,封装为气密性结构,内部集成了热电制冷器(TEC)和光电探测器(PD)。
高掺磷拉曼光纤
高掺磷拉曼光纤专为在 1. 1-1.6 µm 光谱范围内工作的高效拉曼激光器 和放大器而设计。与掺锗光纤相比,掺磷光纤的主要优点是拉曼位移值高出三倍。 这一特性可以极大地简化拉曼光纤激光器和放大器的设计。
763nm 单模VCSEL激光器 (不带TEC,适用于氧气传感)
PL-VCSEL-0763-0-A82 型 763nm 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一款垂直出光的激光器,基于金属有机气相外延(MOVPE)技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光芯片制成。芯片采用 TO46 封装壳进行封装,可通过调节激光电流和温度实现波长调谐,封装内部集成了热电制冷器(TEC)和光电探测器(PD)。 该激光器专为可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)应用设计,其窄线宽特性使其成为无需热电制冷器(TEC)的氧气分析仪器的理想选择,兼具良好性能与低成本优势,适用于氧气检测相关的分析仪器制造领域。
760nm 单模VCSEL激光器
PL-VCSEL-1-A82 型 760nm 垂直腔面发射激光器是一款采用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。芯片采用 TO39 金属管壳封装,可通过调节激光电流和温度实现波长调谐,封装内部集成了热电制冷器(TEC)和光电探测器(PD)。
1260 - 1650nm镀铝抗辐射单模光纤
IXF-SM 系列包含专为极端温度和 / 或低至中等辐射水平的恶劣环境设计的单模光纤。我们提供多种聚合物和金属涂层 , 非常适合高温应用场景。 铝涂层光纤具有宽泛的工作温度范围 ,从低温环境到 + 400°C 均可适用 ,且具备氢密封性 ,能在富氢环境中减轻氢致暗化现象。 IXF-SM-1550-125-019-AL 光纤具有耐辐射性 ,可在低至中等辐射水平下使用。
763nm 单模VCSEL激光器
PL-VCSEL-1-A81 型 763nm 垂直腔面发射激光器是一款采用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。芯片采用 TO39 金属管壳封装,可通过调节激光电流和温度实现波长调谐,封装内部集成了热电制冷器(TEC)和光电探测器(PD)。